Вплив інверсії типу (L1 - ∆1) абсолютного мінімуму на енергію іонізації основного стану мілких донорів в монокристалах n-Ge
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.27985Ключові слова:
теорія збурень, варіаційний метод Рітца, монокристали германію, енергія іонізації, інверсія типу (L1 - ∆1)Анотація
На основі варіаційного методу Рітца та теорії збурень обчислено енергію іонізації мілких донорів для випадку L1 та ∆1 моделі зони провідності монокристалів германію. Порівняння теоретичних розрахунків з експериментальними даними показує, що водневоподібна модель домішки є наближеною і може бути використана лише для домішки Sb в германії. Для домішок, наприклад, P та As необхідно враховувати хімічний зсув.
Посилання
Selezenev, A. A., Aleinikov, A. Y., Ermakov, P. V., Ganchuk, N. S., Ganchuk, S. N., Jones, R. E. (2012). Molecular-dynamics calculation of the thermal conductivity coefficient of the germanium single crystal. Physics of the Solid State, 54(3), 462–467. DOI:10.1134/s1063783412030286
Baranskii, P. I, Fedosov, A. V, Gaidar, G. P. (2000). Physical properties of crystals of silicon and germanium in the fields of effective external influence. – Lutsk: Nadstyr'ya, 280.
Bir, G. L., Picus, G. L. (1972). Symmetry and Deformation Effects in Semiconductors. Moscow: Science, 584.
Baranskii, P. I, Ermakov, V. N, Kolomoets, V. V, Nazarchuk, P. F. (1987). Inversion of the energy bands under the influence of extremely large uniaxial elastic strain in n-Ge in conditions of transition metal-semiconductor (Mott transition). Abstracts of the XI
International Conference MARIVD, Kiev. Proc. High pressure in science and technology, 127.
Luniov, S. V, Nazarchuk, P. F., Burban, O. V. (2013). Parameters of the high – energy ∆1 – minimum of the conduction band in n-Ge. Journal of Physical Studies, 17 (3), 1–5.
Kobayashi, M., Irisawa, T., Magyari-Kope, B., Saraswat, K., Wong, H.-S. P., Nishi, Y. (2010). Uniaxial Stress Engineering for High-Performance Ge NMOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 57 (5), 1037–1046. DOI:10.1109/ted.2010.2042767
Kobayashi, M., Irisawa, T., Kope, B., Yun Sun, Saraswat, K., Wong, H., Pianetta, S., Nishi, Y. (2009). GeO2/Ge interface formed by SPA radical oxidation and uniaxial stress engineering for high performance Ge NMOSFETs. Presented at VLSI Technology, 76–77.
Choi, Y. S., Lim, J.-S., Numata, T., Nishida, T., Thompson, S. E. (2007). Mechanical stress altered electron gate tunneling current and extraction of conduction band deformation potentials for germanium. Journal of Applied Physics, 102 (10), 104507. DOI:10.1063/1.2809374
Peleshchak, R. M., Kuzyk, O. V., Dan’kiv, O. O. (2012). Energy Spectrum of Electrons in a Three-Layer Heterosystem with Self-Organized Defect-Deformation Structures. Ukr. J. Phys, 57 (8), 838–843.
Murphy-Armando, F., Fahy, S. (2011). Giant enhancement of n-type carrier mobility in highly strained germanium nanostructures. Journal of Applied Physics, 109 (11), 113–703. DOI:10.1063/1.3590334
Kogan, Sh. M., Taskinboev, R. (1983). Spectra of shallow donors in germanium and silicon. Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17 (9), 1583–1586.
Wheeler, R., Dimmock, J. (1962). Exciton Structure and Zeeman Effects in Cadmium Selenide. Phys. Rev., 125 (6), 1805–1815. DOI:10.1103/physrev.125.1805
Kohn, W. (1957). Shallow Impurity States in Si and Ge. Sol. St. Phys., 5, 257–320.
Baidakov, V. V., Ermakov, V. N., Grigorev, N. N., Kolomoets, V. V., Kudykina, T. A. (1984). Breakdown of Impurity States of As and Sb in Germanium at Uniaxial Compression. Phys. Stat. Sol. (b), 122 (2), K163–K167. DOI:10.1002/pssb.2221220259
Gorin, A. E., Ermakov, V. N., Kolomoets, V. V. (1995). Intervalley redistribution of electrons due to impact ionization of shallow donors in uniaxially deformed Ge. Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 29 (4), 1147–1151.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Сергій Валентинович Луньов
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
