Еліпсометрія в субмікронній технології формування структур ВІС
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2856Ключові слова:
еліпсометрія, кремній, субмікронна технологія, методи контролю, літографіяАнотація
Приведено фізико-математичні принципи еліпсометрії, суть її використання для визначення оптичних сталих, контролю та дослідження властивостей і процесів отримання функціональних шарів при формуванні субмікронних структур великих інтегральних схем.Посилання
- Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем. – Івано-Франківськ, Сімик – 2003, 350с.
- Аззак Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризационный свет. Пер. с англ. под ред. А.В.Ржанова, К.К.Свиташева. – М.: Мир. – 1981. – 583 с.
- D. Aspnes. Studies of sarfase, thin film and interface properties by automatic spectroscopic ellipsometry. – J,Vac. Sci Technol. – 1981, - v 18, №2, p.289-295.
- Adams J.R., Bachara N.M. SiO2 thick nesses determination by reflection ellipsometry: substrate effects. – Surf Sci 1985. v 47. – p. 655-660.
- Aspnes D.E., Theeten J.B. Spectroscopic analysis of the interface between Si and its thermally grown oxide. – J, Electronics Soc, - 1980, vol 127, №6, p.1359-1361.
- Dinges H.W. An ellipsometrie study SiO2-Si3N4 double lagers on silicon produced by chemical vapour deposition. – Thin Solid Films – 1981, - vol 78, p.63-66.
- Лонский Э.С. Основное уравнение эллипсометрии для тестовых дифракционных решеток, применяемых при контроле структур БИС. – Микроэлектроника, 1987. т.10, вып.6, с.537-542.
- Motooka T., Watanabe K. Damage profile determination of ionimplanted Si layers by ellipsometry. – J. Appl Phys. – 1980, v.51, №8. – p. 4125-4129.
- А.С. Мардемов, В.Г. Серяпин. Определение комплекного показателя преломления в ионвнедренных слоях из эллипсометрических измерений // Физика и техника полупроводников. – 1989. – ТВ, №12., с.2347-2353.
- J.B. Theeten, D.E. Aspnes, Simonfut F., Erman. M. Non-destructure analysis of Si3N4/SiO2/Si structures using spectroscopic ellipsometry. – J. Appl Phys. – 1981, v.52(II). – p. 6788-6797.
- Novosyadly S. Amplitude-phase-shift masks for protection litography of submicron technology. Procudings of the VII-th International Conference CADSM 2003. – Lviv-Slavske, Ukraine., p.66-68.
- Позитивне рішення експертизи винаходів по мікроелектроніці. №94061566 від 9.03.93 Спосіб виготовлення напівпровідникових приладів / Новосядлий С.П., Біровий О.Л., Гутак І.М., Масовий Н.П. / №13551 від 13.06.94, №8 від 29.12.94.
- Новосядлий С.П. Висококонтрастний фоторезист для субмікронної технології ВІС// Фотоелектроніка – 2000 - №9. – с.37-42.
- Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС// Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. – 1999. - №3. – с.30-38.
- Новосядлий С.П. Технологічний САПР на основі ТС// Фізика і хімія твердого тіла. – 2002. – т.3, №1., с.179-189.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Володимир Михайлович Вівчарук
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
