Вплив обробки підкладки на електричні властивості гетероструктур n-TiО2/p-Si
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6031Ключові слова:
гетероперехід, травлення, полікристал, ТіО2Анотація
Виготовлено гетеропереходи n-TiO2/p-Si методом реактивного магнетронного розпилення. Виміряно вольт-амперні характеристики (ВАХ) гетероструктур при різних умовах обробки підкладки. Досліджено механізми струмопереносу через гетеропереходи n-TiO2/p-SiПосилання
- Razykov T.M. Solar photovoltaic electricity: Current status and future prospects / T.M. Razykov, C.S. Ferekides, D. Morel, E. Stefanakos, H.S. Ullal, H.M. Upadhyaya // Solar Energy. – 2011. – №85. – С. 1580-1608.
- Алферов, Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур [Текст] / Ж.И. Алферов // ФТП. – 1998. – Т. 32, №1. – С. 3-18.
- Brus, V.V. Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe [Текст] / V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytskiy // Semiconductor Science and Technology. – 2011. – Vol. 26. – 125006.
- Barrera, M. Antireflecting–passivating dielectric films on crystalline silicon solar cells for space applications [Текст] / M. Barrera, J. Plá, C. Bocchi, A. Migliori // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2008. – Vol. 92(9). – Pages 1115-1122.
- Брус, В.В. Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах n-ТіО2/p-CdTe [Текст] / В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк // ФТП. – 2011. – Т. 45, №8. – С. 1109-1113.
- Фаренбрух, А. Солнечные елементы: Теория и експеримент [Текст] / А. Фаренбрух, Р. Бьюб. – М.: Энергоатомиздат, 1987.
- Мостовой, А.И. Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах n-ТiО2/p-Si [Текст] / А.И. Мостовой, В.В. Брус, П.Д. Марьянчук // ФТП. – 2012, в печати.
- Sharma B.L. Semiconductor Heterojunctions [Текст] / B.L. Sharma, R.K. Purohit. – New York: Pergamon, 1974. – p. 216.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Андрій Ігорович Мостовий, Павло Дмитрович Мар’янчук, Віктор Васильович Брус
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
