Дослідження стабільності електрофізичних параметрів Si-пластин перед формуванням поруватого шару

Автор(и)

  • Марія Михайлівна Воробець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6032

Ключові слова:

поруватий кремній, фінішна хімічна обробка, контактна різниця потенціалів, кремнієві пластини

Анотація

Експериментально показано, що час досягнення стаціонарних значень контактної різниці потенціалів і роботи виходу електрона після обробки поверхні Si-пластин у кислотно-пероксидних розчинах менші, ніж в амоніачно-пероксидних. Отримані результати трактуються утворенням на поверхні Si відповідно оксидної плівки і гідроксидного шару, що під час анодування призводить до формування макропоруватого і мікро- чи мезопоруватого шару кремнію

Біографія автора

Марія Михайлівна Воробець, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Кандидат хімічних наук, асистент

Кафедра аналітичної хімії

Посилання

  1. Volker Lehmann. Electrochemistry of Silicon: Instrumentation, Science, Materials and Applications [Теxт] / Volker Lehmann. – Weinheim: WILEY-VCH Verlag GmbH, D-69469, 2002. – 283 р..
  2. Воробець, М. М. Деякі критерії якості фізико-хімічної обробки поверхні кремнієвих пластин [Текст] / М. М. Воробець, А. Г. Волощук, Я. Ю.Тевтуль // Наук. вісник ЧНУ, вип.307, Хімія. – Чернівці, 2006. – С.75–80.
  3. Вплив фінішної обробки кремнієвих пластин на кінетику формування поруватого кремнію [Текст] / М. М. Воробець, Г. І. Воробець, А. Г. Волощук, Я. Ю. Тевтуль // Наук. вісник ЧНУ, вип.453, Хімія. – Чернівці, 2009. С.69–74.
  4. Волощук, А. Г. Установка для вимірювання величини та розподілу поверхневого потенціалу Si-пластин методом контактної різниці потенціалів [Текст] / А. Г. Волощук, В. Т. Білоголовка // Методи та прилади контролю якості. – 2002. – №8 – С.44–47.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-12-26

Як цитувати

Воробець, М. М. (2012). Дослідження стабільності електрофізичних параметрів Si-пластин перед формуванням поруватого шару. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(60), 50–52. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6032

Номер

Розділ

Сенсорні напівпровідникові пристрої