Сучасні лазерні твердофазні технологічні процеси в субмікронній технології ВІС
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2865Ключові слова:
лазерно-стимульована дифузія, твердофазні процеси, кремній, галію арсенід, ВІСАнотація
Розглянуто фізичні процеси при лазерно-стимульованій твердофазній дифузії домішок в напівпровідникові матеріали та метали. Наведено приклади застосування таких процесів для вирішення конкретних технологічних задач напівпровідникової електроніки.Посилання
- Валиев К.А. Микроэлектронные достижения и пути развития. – М: Наука – 1986 – 205с.
- Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС – Івано-Франківськ: Сімик – 2003 – 351с.
- Волков В.А. Современные проблемы сборки и герметизации микроэлектронных устройств//Электронная промышленность – 1990 - №2, с 11-14.
- Никифорова-Денисова С.Н., Пименов С.А., Хитро Е.П. Снижение дефектности в кремниевых пластинах с помощью лазерного гетерирования//Электронная техника, с.Микроэлектроника – 1989 – вып 4(133) – с 24-27.
- Курило І.В., Новосядлий С.П. Фізико-хімічні особливості субмікронної оптичної літографії ВІС//Вісник ДУ “Львівська політехніка”. Хімія, технологія речовин та їх застосування. – 2000 - №390 – с 51-54.
- Новосядлий С.П. Активація домішок в субмікронній технології формування структур ВІС// Металофізика і новітні технології – 2002 – Т24, №6 – с 777-794.
- Новосядлий С.П. Шляхи підвищення роздільної здатності проекційної літографії// Металофізика і новітні технології – 2002 – Т24, №8 – с 1073-1082.
- Новосядлий С.П., Возняк Ю.В., Сорохтей Т.Р. Фізико-технологічні особливості формування комплементарних арсенід-галієвих субмікронних структур ВІС// Збірник наукових праць 2-ої міжнародної конференції “Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития” – Харків – 2009 – с 111-113.
- Новосядлий С.П., Вівчарук В.М. Багатозарядна радіаційна імплантація при формуванні SOI-структур//Фізика і хімія твердого тіла/ - 2008. – Т9, №3 с 659-667.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Андрій Іванович Терлецький, Оксана Богданівна Фрик
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
