Регрессионный анализ параметров кремниевых монокристаллических и пленочных аморфных фотопреобразователей
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3304Ключові слова:
аморфні, монокристалічний кремній, сонячний елемент, фотоперетворенняАнотація
У роботі відображені результати досліджень, виконаних у Харківському національному університеті радіоелектроніки, пов’язаних з розробкою і застосуванням статистичних регресійних моделей стосовно до кремнієвих монокристалічних ФП зі структурою n +-p-p +, а також до аморфних ФП.Посилання
- Слипченко Н.И. Регрессионные технологические модели кремниевых монокристаллических фотопреобразователей./ Слипченко Н.И., Письменецкий В.А., Фролов А.В., Яновская Н.Н. // Известия вузов. Радиоэлектроника, НТУУ «КПИ», 2008, том 51, № 11. С. 41-49.
- Патент на винахід № 86167 від 25.03.2009 р. Пристрій для контролю параметрів фотоелектричних перетворювачів. Сліпченко М.І., Письменецький В.О., Кирилюк А.А., Яновська Н.М., Фролов А.В. Бюл. № 1, 2009 р.
- Бойко Б.Т. Дослідження плівкових сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au./ Бойко Б.Т., Хрипунов Г.С., Меріуц А.В., Черних Е.П. // Фізика і хімія твердого тіла, Т.6, № 2 (2005) с.295-298.
- Биков М.А. Модель фотогенерации и переноса носителей в структуре α - Si : H / c – Si./Быков М.А., Быков А.М., Зуев С.А., Мазинов А.С., Слипченко Н.И., Унжаков Д.А. //Прикладная радиоэлектроника, 2008, Том 7, №1.
- Голикова О.А. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле. / Голикова О.А., Кузнецов А.Н., Кудоярова В.Х., Казанин М.М. // Физика и техника полупроводников, 1997, Том 31, № 7, с. 816-819.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Николай Иванович Слипченко, Виктор Александрович Письменецкий, Андрей Витальевич Фролов, Николай Викторович Герасименко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
