Вплив низькотемпературного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe–n-In2O3

Автор(и)

  • Захар Русланович Кудринський Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України І.Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001, Україна
  • Захар Дмитрович Ковалюк Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України І.Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3380

Ключові слова:

Шаруваті кристали, гетеропереходи, імпеданс, дефекти, наноутворення

Анотація

Досліджено вплив температурного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe–n-In2O3. Для середньостатистичних структур з Uхх=0,25 В і Ікз=250 μА спостерігається покращення Uхх на 48%, Ікз на 44%

Біографії авторів

Захар Русланович Кудринський, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України І.Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001

Аспірант

Захар Дмитрович Ковалюк, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України І.Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001

Доктор фізико-математичних наук, професор

Керівник

Посилання

  1. Катеринчук В.Н. Влияние режимов формирования собственного окисла на свойства гетеропереходов оксид–p-InSe. [Текст] / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, А.В. Заслонкин // Письма в ЖТФ. – 1999. – Т.25, №13, –С. 34–36.
  2. Катеринчук В.Н. Получение гетероструктур окисел–p-InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками. [Текст] / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т.38, №4, С. 417– 421.
  3. Ковалюк З.Д. Исследования изотипных фоточувствительных гетероструктур (собственный окисел)–n-InSe, полученных длительным термическим окислением. [Текст] / З.Д. Ковалюк, О.Н. Сидор, В.Н. Катеринчук, Нетяга В.В. // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т.41, №9, С. 1074–1077.
  4. Ластивка Г.И. Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSe–InSe. [Текст] / Г.И. Ластивка, О.Н. Сидор, З.Д. Ковалюк, А.Г. Ходожко. // Східно-Європейський журнал передових технологій. 2010. T. 4, N 5(46). С. 28-34. Режим доступу : URL : http://journals.uran.ua/eejet/article/view/2978
  5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. [Текст]. Т. 1. / С. Зи. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-02-01

Як цитувати

Кудринський, З. Р., & Ковалюк, З. Д. (2012). Вплив низькотемпературного відпалу на властивості гетеропереходів p-InSe–n-In2O3. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(5(55), 25–28. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3380