The influence of background impurities of oxygen to defective subsystem Cd1-xZnxTe

Authors

  • Анжела Миколаївна Дмитрів Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 124 а, м. Івано-Франківськ, Україна, 76008, Ukraine
  • Оксана Любомирівна Сав’як Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 2, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018, Ukraine
  • Олеся Василівна Боднарчук Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 124 а, м. Івано-Франківськ, Україна, 76008, Ukraine
  • Ірина Дмитрівна Сиротинська Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 2, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.2286

Keywords:

Solid solution, defects, sfaleryt, oxygen

Abstract

The influence of background impurities of oxygen to defective subsystem solid solution Cd1-xZnxTe is researched. Based on experimental results and the crystalloquasichemical models in the material is calculated carrier density and point defects

Author Biographies

Анжела Миколаївна Дмитрів, Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 124 а, м. Івано-Франківськ, Україна, 76008

Кандидат хімічних наук, доцент

Кафедра хімії

Оксана Любомирівна Сав’як, Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 2, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018

Асистент

Кафедра біохімії з курсом біонеорганічної, фізколоїдної та біоорганічної хімії

Олеся Василівна Боднарчук, Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 124 а, м. Івано-Франківськ, Україна, 76008

Кандидат хімічних наук, доцент

Кафедра хімії

Ірина Дмитрівна Сиротинська, Івано-Франківський національний медичний університет вул. Галицька, 2, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018

Кандидат хімічних наук, доцент

Кафедра біохімії з курсом біонеорганічної, фізколоїдної та біоорганічної хімії

References

  1. Белогорохов, А. И. Оптические свойства монокристаллов Cd1-xZnxTe (0  х  0.1) в инфракрасном диапазоне длин волн [Текст] / А .И. Белогорохов, В. М. Лакеенков, Л. И. Белогорохова // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35, № 7. – С. 808–811.
  2. Marbeuf, A. Thermodynamic Analysis of Zn-Cd-Te. Zn-Hg-Te: Phase Separation in ZnxCd1-xTe and in ZnxHg1-xTe [Теx] / A. Marbeuf, R .Druilhe, R. Tribolet // J. Cryst. Growth. – 1992.– V. 117, №1 – P. 10–15.
  3. Атрощенко, Л. В. Термодинамические параметры взаимодействия в системе CdTe-ZnTe-O2-C при выращивании кристаллов Cd1-xZnxTe из расплава [Текст] / Л. В .Атрощенко, С. Н. Галкин, Л. П. Гальчинецкий, И. А. Рыбалка, В.Д.Рыжков // Неорганические материалы. – 2003. – Т. 39, №3. – С. 293–297.
  4. Белогорохов, А. И. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe [Текст] / А. И. Белогорохов, Л. И Белогорохов, А. Г .Белов, В. М. Лакеенков, Н. А. Смирнова // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 33, № 5. – С. 549–552.
  5. Пикус, Г.Я. Динамика испарения в вакууме твердых растворов CdxZn1-xTe [Текст] / Г. Я. Пикус, Ю. В .Калиниченко, Н. И. Рудченко // Неорганические материалы. – 1992. – Т. 29, №4. – С. 752–758.
  6. Морозова, Н. К. Зависимость свойств кристаллов Cd1-xZnxTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода [Текст] / Н. К. Морозова, И. А. Каретников, В. В. Блинов, В. К. Комарь, В. Г. Галстян, В. С. Зимгорский // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 33, № 5. – С. 569–573.
  7. Kosyachenko, L. A. Compensated impurity conductivity of single crystals Cd1-xZnxTe [Теx] / L. A. Kosyachenko, Z. I. Zakharuk, A. V. Markov, O. L. Maslyanchuk, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk // Ukr. J. Phys. – 2004. – V. 49, №6. – P. 573–578.
  8. Косяченко, Л. А. Особенности электропроводности монокристаллов Cd1-xZnxTe и Cd1-xMnxTe [Текст] / Л. А. Косяченко, А. В. Марков, Е. Л. Маслянчук, И. М Раренко, В .М. Склярчук // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т. 37, № 12. – С. 1420–1426.
  9. Межиловська, Л. Й. Кристалоквазіхімія атомних дефектів твердих розчинів Cd1-xZnxTe з участю кисню [Текст] / Л. Й. Межиловська, А. М. Дмитрів, П. В. Жуковські // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 2.– С. 325–329.
  10. Матвеев, О. А. Самокомпенсация в CdTe в условиях фазового равновесия кристалл–пар кадмия (теллура) [Текст] / О. А. Матвеев, А. И. Терентьєв // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т.32, №2. – С. 159–163.
  11. Семилетов, С. А. Тетраэдрические и октаэдрические ковалентные радиусы [Текст] / С. А. Семилетов // Кристаллография. – 1976. – Т.21, №4. – С. 752–758.

Downloads

How to Cite

Дмитрів, А. М., Сав’як, О. Л., Боднарчук, О. В., & Сиротинська, І. Д. (2012). The influence of background impurities of oxygen to defective subsystem Cd1-xZnxTe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(54), 63–67. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.2286

Issue

Vol. 6 No. 5(54) (2011): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Анжела Миколаївна Дмитрів, Оксана Любомирівна Сав’як, Олеся Василівна Боднарчук, Ірина Дмитрівна Сиротинська

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.