Вплив фонофої домішки кисню на дефектну підсистему Cd1-xZnxTe
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.2286Ключові слова:
Tвердий розчин, дефекти, сфалерит, кисеньАнотація
Досліджено вплив фонової домішки кисню на дефектну підсистему твердого розчину Cd1-xZnxTe. На основі експериментальних результатів і кристалоквазіхімічних моделей у матеріалі розраховано концентрацію носіїв струму і точкових дефектівПосилання
- Белогорохов, А. И. Оптические свойства монокристаллов Cd1-xZnxTe (0 х 0.1) в инфракрасном диапазоне длин волн [Текст] / А .И. Белогорохов, В. М. Лакеенков, Л. И. Белогорохова // Физика и техника полупроводников. – 2001. – Т. 35, № 7. – С. 808–811.
- Marbeuf, A. Thermodynamic Analysis of Zn-Cd-Te. Zn-Hg-Te: Phase Separation in ZnxCd1-xTe and in ZnxHg1-xTe [Теx] / A. Marbeuf, R .Druilhe, R. Tribolet // J. Cryst. Growth. – 1992.– V. 117, №1 – P. 10–15.
- Атрощенко, Л. В. Термодинамические параметры взаимодействия в системе CdTe-ZnTe-O2-C при выращивании кристаллов Cd1-xZnxTe из расплава [Текст] / Л. В .Атрощенко, С. Н. Галкин, Л. П. Гальчинецкий, И. А. Рыбалка, В.Д.Рыжков // Неорганические материалы. – 2003. – Т. 39, №3. – С. 293–297.
- Белогорохов, А. И. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd1-xZnxTe [Текст] / А. И. Белогорохов, Л. И Белогорохов, А. Г .Белов, В. М. Лакеенков, Н. А. Смирнова // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 33, № 5. – С. 549–552.
- Пикус, Г.Я. Динамика испарения в вакууме твердых растворов CdxZn1-xTe [Текст] / Г. Я. Пикус, Ю. В .Калиниченко, Н. И. Рудченко // Неорганические материалы. – 1992. – Т. 29, №4. – С. 752–758.
- Морозова, Н. К. Зависимость свойств кристаллов Cd1-xZnxTe от типа собственных точечных дефектов и форм присутствия кислорода [Текст] / Н. К. Морозова, И. А. Каретников, В. В. Блинов, В. К. Комарь, В. Г. Галстян, В. С. Зимгорский // Физика и техника полупроводников. – 1999. – Т. 33, № 5. – С. 569–573.
- Kosyachenko, L. A. Compensated impurity conductivity of single crystals Cd1-xZnxTe [Теx] / L. A. Kosyachenko, Z. I. Zakharuk, A. V. Markov, O. L. Maslyanchuk, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk // Ukr. J. Phys. – 2004. – V. 49, №6. – P. 573–578.
- Косяченко, Л. А. Особенности электропроводности монокристаллов Cd1-xZnxTe и Cd1-xMnxTe [Текст] / Л. А. Косяченко, А. В. Марков, Е. Л. Маслянчук, И. М Раренко, В .М. Склярчук // Физика и техника полупроводников. – 2003. – Т. 37, № 12. – С. 1420–1426.
- Межиловська, Л. Й. Кристалоквазіхімія атомних дефектів твердих розчинів Cd1-xZnxTe з участю кисню [Текст] / Л. Й. Межиловська, А. М. Дмитрів, П. В. Жуковські // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 2.– С. 325–329.
- Матвеев, О. А. Самокомпенсация в CdTe в условиях фазового равновесия кристалл–пар кадмия (теллура) [Текст] / О. А. Матвеев, А. И. Терентьєв // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т.32, №2. – С. 159–163.
- Семилетов, С. А. Тетраэдрические и октаэдрические ковалентные радиусы [Текст] / С. А. Семилетов // Кристаллография. – 1976. – Т.21, №4. – С. 752–758.
##submission.downloads##
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Анжела Миколаївна Дмитрів, Оксана Любомирівна Сав’як, Олеся Василівна Боднарчук, Ірина Дмитрівна Сиротинська
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
