N-CHANNEL D-MOS TRANSISTOR WITH DOUBLE-DIFFUSION OF THE DECIMETER RANGE FREQUENCIES

Authors

  • Андрій Дмитрович Верига Кафедра радіотехники та інформаційної безпеки Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича, Ukraine
  • Леонід Францевич Політанський Кафедра радіотехники та інформаційної безпеки Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3148

Keywords:

transistor, topology, autodyne sensor

Abstract

The MOS field effect transistor with vertical structure is designed by a method of double diffusion. The transistor is calculated on work in a range of frequencies up to 900 MHz. Formation of a gate and a source metallization is spent in one technological cycle that simplifies technological process of manufacturing of the transistor and lowers requirements to tolerances of this fabrication stage.

Author Biographies

Андрій Дмитрович Верига, Кафедра радіотехники та інформаційної безпеки Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича

Асистент

Леонід Францевич Політанський, Кафедра радіотехники та інформаційної безпеки Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича

Доктор технічних наук, професор, завідуючий кафедри

References

  1. O.S. Stoican NQR detection setup/ O.S. Stoican// Rom. Journ. Phys..— 2006.— Vol. 51, Nos. 1-2.— P. 311-315.
  2. P.M. Andersen Ultralow power low noise ultrahigh frequency magnetic resonance spectrometer/ P.M. Andersen, N.S. Sullivan, L.W. Phelps, and J.B. Legg// Rev. Sci. Instrum., Vol.63, Is.1, 1992.
  3. Ван дер Зил А. Шумы при измерениях/ Ван дер Зил А.— М.: Мир, 1979.— 292с.
  4. Хандожко А.Г., Слынько Е.И., Черныш И.П. Автодинный детектор для исследования ядерного магнитного резонанса и размерных эффектов в полупроводниках/ Хандожко А.Г., Слынько Е.И., Черныш И.П.// ПТЭ.— 1988.— №5.— С.110-112.
  5. http://www.uran.donetsk.ua/~masters/2001/fvti/tereschuk/diss/lib/mop.htm.
  6. Браиловский В.В. Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса/ Браиловский В.В., Верига А.Д., Политанский Л.Ф.// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Научно-технический журнал.– 2009.– № 5.– С.7-9.
  7. С. Зи Физика полупроводниковых приборов/ С. Зи; [Перевод с английского], под.ред. Р.А. Суриса.— [в 2-х книгах].— Москва: «Мир», 1984
  8. Окснер Э.С. Мощные полевые транзисторы и их применение/ Окснер Э.С.; [Перевод с английского], под.ред. В.Н. Мышляева.— Москва: «Радио и связь», 1985.— 288с.
  9. Брайловский В.В. Моделирование схемы автодинного сенсора на полевом транзисторе/ Брайловский В.В., Верига А.Д., Готра З.Ю., Кушнир Н.Я.// Известия вузов. Радиоэлектроника.– 2010.– № 1.– С.1-7
  10. N.Sullivan Nuclear resonance spectrometers using field effect transistors/ Neill Sullivan// Rev. Sci. Instrum. .— 1971.— vol.42, №4.— P.462-465.
  11. Брайловський В.В., Верига А.Д., Хандожко О.Г. Ефективність стокового детектування в автодинному спін-детекторі// Науковий вісник Чернівецького університету, Фізика. Електроніка. Збірник наукових праць. Випуск 201.– 2004.– С.110-112. стр. 10.

Downloads

Published

2010-09-30

How to Cite

Верига, А. Д., & Політанський, Л. Ф. (2010). N-CHANNEL D-MOS TRANSISTOR WITH DOUBLE-DIFFUSION OF THE DECIMETER RANGE FREQUENCIES. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5(5(47), 9–12. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.3148

Issue

Vol. 5 No. 5(47) (2010): The applied physics and materials technology. The applied mechanics

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Андрій Дмитрович Верига, Леонід Францевич Політанський

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.