Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі тестових структур

Authors

  • Степан Петрович Новосядлий Кафедра радіофізики та електроніки Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника м. Івано-Франківськ, Ukraine
  • В. М. Вивчарук Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника вул. Шевченко, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000, Ukraine
  • С. М. Вертепний Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника вул. Шевченко, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2009.3182

Abstract

Розглянуто структуру тесто-вого контролю (ТК) технологічного процесу формування структур великих інтегральних схем, сформовані задачі ТК, проведена класифікація тестових структур, наведені приклади тестових кристалів та способи їх застосування

Author Biographies

Степан Петрович Новосядлий, Кафедра радіофізики та електроніки Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника м. Івано-Франківськ

Доктор технічних наук, професор, завідуючий кафедрою

В. М. Вивчарук, Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника вул. Шевченко, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000

Аспірант

Кафедра «Радіофізики та електроніки»

С. М. Вертепний, Прикарпатський національний університет ім. В.Стефаника вул. Шевченко, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000

Аспірант

Кафедра «Радіофізики та електроніки»

References

  1. Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС. Івано-Франківськ: Сімик – 200-3р – 351с.
  2. Буденников А.Н., Садовников Н.Д. Проблемы физико-технологического моделирования субмикронных элементов СБИС// Зарубежная радиоэлектроника – 1987 - №3 – с18 – 24.
  3. Новосядлий С.П. Технологічна САПР на основі тестових структур//Фізика і хімія твердого тіла – 2002 – Т3, №1 с179-189.
  4. Герасимова А.С. Использование тестовых структур в производстве интегральных схем // Зарубежная радиоэлектроника – 1988 - №10 – с53-62.
  5. C.Alcorn, D.Dvorak, W.Handad Kerf Test Structure Designs for Proces and Device Characterization//Solid St. Technology – 1985, №4- p229-235.
  6. Новосядлий С.П. Математичне моделювання технологічних процесів формування структур ВІС та електрофізичне діагностування їх надійності // Вісник ДУ «Львівська політехніка» комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика.- 1999 - №373 – с58-62.
  7. Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС // Вісник ДУ «Львівська політехніка» №367 Радіоелектроніка та телекомунікації – 1999 – с.187-197.
  8. Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах – 1999 -№3 с.30-38.
  9. Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах – 1999 - №2 – с. 58-64.
  10. Новосядлий С.П., Запухляк Р.І., Мельник П.І. Прогнозування надійності структур ВІС за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик // Фізика і хімія твердого тіла – 2005 – Т6 №2 с.153-160.
  11. Мельник П.І., Новосядлий С.П., Бережанський В.П., Вівчарук В.М. Спектрометрія в субмікронній технології ВІС//Фізика і хімія твердого тіла – 2007 №4, т8 – с791-801.

Downloads

Published

2009-02-04

How to Cite

Новосядлий, С. П., Вивчарук, В. М., & Вертепний, С. М. (2009). Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі тестових структур. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(7(37), 26–38. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2009.3182

Issue

Vol. 1 No. 7(37) (2009): The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, В. М. Вивчарук, С. М. Вертепний

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.