Моделювання субмікронної та нанотехнологій на основі тестових структур
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2009.3182Анотація
Розглянуто структуру тесто-вого контролю (ТК) технологічного процесу формування структур великих інтегральних схем, сформовані задачі ТК, проведена класифікація тестових структур, наведені приклади тестових кристалів та способи їх застосування
Посилання
- Новосядлий С.П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС. Івано-Франківськ: Сімик – 200-3р – 351с.
- Буденников А.Н., Садовников Н.Д. Проблемы физико-технологического моделирования субмикронных элементов СБИС// Зарубежная радиоэлектроника – 1987 - №3 – с18 – 24.
- Новосядлий С.П. Технологічна САПР на основі тестових структур//Фізика і хімія твердого тіла – 2002 – Т3, №1 с179-189.
- Герасимова А.С. Использование тестовых структур в производстве интегральных схем // Зарубежная радиоэлектроника – 1988 - №10 – с53-62.
- C.Alcorn, D.Dvorak, W.Handad Kerf Test Structure Designs for Proces and Device Characterization//Solid St. Technology – 1985, №4- p229-235.
- Новосядлий С.П. Математичне моделювання технологічних процесів формування структур ВІС та електрофізичне діагностування їх надійності // Вісник ДУ «Львівська політехніка» комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика.- 1999 - №373 – с58-62.
- Новосядлий С.П. Електрофізичне діагностування надійності структур ВІС // Вісник ДУ «Львівська політехніка» №367 Радіоелектроніка та телекомунікації – 1999 – с.187-197.
- Новосядлий С.П. Аналітичні фізико-хімічні методи аналізу і контролю в системній технології ВІС // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах – 1999 -№3 с.30-38.
- Новосядлий С.П. Тестовий контроль електрофізичних параметрів структур в системній технології високого рівня // Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах – 1999 - №2 – с. 58-64.
- Новосядлий С.П., Запухляк Р.І., Мельник П.І. Прогнозування надійності структур ВІС за допомогою імпульсних нерівноважних вольт-фарадних характеристик // Фізика і хімія твердого тіла – 2005 – Т6 №2 с.153-160.
- Мельник П.І., Новосядлий С.П., Бережанський В.П., Вівчарук В.М. Спектрометрія в субмікронній технології ВІС//Фізика і хімія твердого тіла – 2007 №4, т8 – с791-801.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, В. М. Вивчарук, С. М. Вертепний
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.