Дослідження конструктивно-технологічних особливостей формування епітаксійних арсенід-галієвих структур на кремнієвих підкладках
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.104563Ключові слова:
комплементарні структури, напівпровідники, епітаксія, інтегральні схеми, технологічні особливостіАнотація
Проведено аналіз складних структур різної архітектури ІС/ВІС на епі-шарах GaAs, сформованих на Si-підкладках. Вияснено вплив процесів розсіюваних носіїв заряду на флуктуаціях потенціалу на величину і профіль рухливості електронів по товщині епітаксіальної структури. Експериментально показано, що підвищення крутизни в транзисторах Шотткі на основі структур із заглибленими шарами можливе при зниженні опору паразитних областей затвор-стік, затвор витік
Посилання
- Colinge, J.-P., Colinge, C. A. (2007). Physics of Semiconductor Devices. Springer Science & Business Media, 436.
- Edwards, P. (2012). Manufacturing Technology in the Electronics Industry: An introduction. Springer Science & Business Media, 248.
- Hezel, R. (2013). Silicon Nitride in Microelectronics and Solar Cells. Springer Science & Business Media, 401.
- Salazar, K., Marcia, K. (2012). Mineral commodity summaries. U. S. Geological Survey, Reston, Virginia, 58–60.
- Naumov, A. V. (2005). Obzor mirovogo rynka arsenida galliya. Tekhnologiya i konstruirovanie v ehlektronnoy apparature, 6, 53–57.
- Kamineni, V. K., Raymond, M., Bersch, E. J., Doris, B. B., Diebold, A. C. (2010). Optical metrology of Ni and NiSi thin films used in the self-aligned silicidation process. Journal of Applied Physics, 107 (9), 093525. doi: 10.1063/1.3380665
- Yatabe, Z., Asubar, J. T., Hashizume, T. (2016). Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors. Journal of Physics D: Applied Physics, 49 (39), 393001. doi: 10.1088/0022-3727/49/39/393001
- Thompson, S., Alavi, M., Hussein, M., Jacob, P., Kenyon, C., Moon, P. et. al. (2002). 130nm Logic Technology Featuring 60 nm Transistors, Low-K Dielectrics, and Cu Interconnects. Intel Technology Journal, 6 (2), 5–9.
- Simmons, J. G., Wei, L. S. (1974). Theory of transient emission current in MOS devices and the direct determination interface trap parameters. Solid-State Electronics, 17 (2), 117–124. doi: 10.1016/0038-1101(74)90059-8
- Aspnes, D. E. (1981). Studies of surface, thin film and interface properties by automatic spectroscopic ellipsometry. Journal of Vacuum Science and Technology, 18 (2), 289–295. doi: 10.1116/1.570744
- Ossi, P. M., Miotello, A. (2007). Control of cluster synthesis in nano-glassy carbon films. Journal of Non-Crystalline Solids, 353 (18-21), 1860–1864. doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.02.016
- Gaan, S., Feenstra, R. M., Ebert, P., Dunin-Borkowski, R. E., Walker, J., Towe, E. (2012). Structure and electronic spectroscopy of steps on GaAs(110) surfaces. Surface Science, 606 (1-2), 28–33. doi: 10.1016/j.susc.2011.08.017
- Polyakov, V. I., Perov, P. I., Ermakov, M. G., Ermakova, O. N. (1991). Spektry Q-DLTS geterostruktur na osnove soedineniy GaAs i AlGaAs. Mikroehlektronika, 20 (2), 155–165.
- Pizzini, S. (2015). Physical Chemistry of Semiconductor Materials and Processes. John Wiley & Sons, 440. doi: 10.1002/9781118514610
- Novosyadlyy, S. P., Terlets'kyy, A. I. (2016). Diahnostyka submikronnykh struktur VIS. Ivano-Frankivs'k: Simyk, 478.
- Novosyadlyy, S. P. (2007). Fizyko-tekhnolohichni osnovy submikronnoyi tekhnolohiyi VIS. Ivano-Frankivs'k: Simyk, 370.
- Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub- i nanomikronna tekhnolohiya struktur VIS. Ivano-Frankivs'k: Misto NV, 455.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2017 Stepan Novosyadlyj, Bogdan Dzundza, Volodymyr Gryga, Svyatoslav Novosyadlyj, Myhaylo Kotyk
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
