Формування карбонових плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках

Автор(и)

  • Stepan Novosiadlyi Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018, Україна https://orcid.org/0000-0002-9248-7463
  • Myhaylo Kotyk Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018, Україна https://orcid.org/0000-0002-1483-0051
  • Bogdan Dzundza Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018, Україна https://orcid.org/0000-0002-6657-5347
  • Volodymyr Gryga Надвірнянський коледж Національного транспортного університету вул. Соборна, 177, м. Надвірна, Україна, 78400, Україна https://orcid.org/0000-0001-5458-525X
  • Svyatoslav Novosiadlyi Компанія SoftServe вул. Сахарова, 23, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000, Україна https://orcid.org/0000-0003-0807-5771
  • Volodymyr Mandzyuk Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018, Україна https://orcid.org/0000-0001-6020-7722

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.112289

Ключові слова:

комплементарні структури, гетероструктури, епітаксія, інтегральні схеми, технологічні особливості, карбонові плівки

Анотація

Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок α-С:Н, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур α-C:H-Si та α-C:H-GaAs і визначені енергія активації, січення захоплення і густина глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлена кореляція між технологічними режимами формування плівок α-C:H і густиною пасток. Визначенні технологічні методи і режими, які дозволяють отримувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС)≤1012 см-2, що дає можливість використаня цих структурв ролі підзатворного діелектрика в GaAs – КМОН структурних ВІС

Біографії авторів

Stepan Novosiadlyi, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018

Доктор технічних наук, професор

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Myhaylo Kotyk, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018

Аспірант

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Bogdan Dzundza, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018

Кандидат фізико-математичних наук

Кафедра комп’ютерної інженерії та електроніки

Volodymyr Gryga, Надвірнянський коледж Національного транспортного університету вул. Соборна, 177, м. Надвірна, Україна, 78400

Кандидат технічних наук, доцент

Svyatoslav Novosiadlyi, Компанія SoftServe вул. Сахарова, 23, м. Івано-Франківськ, Україна, 76000

Провідний інженер 

Volodymyr Mandzyuk, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76018

Кандидат фізико-математичних наук

Кафедра комп’ютерної інженерії и электроники

Посилання

  1. Hezel, R. (2013). Silicon Nitride in Microelectronics and Solar Cells. Springer Science & Business Media, 401.
  2. Edwards, P. (2012). Manufacturing Technology in the Electronics Industry: An introduction. Springer Science & Business Media, 248.
  3. Colinge, J.-P., C. A. Colinge (2007). Physics of Semiconductor Devices. Springer Science & Business Media, 436.
  4. Salazar, K., Marcia, K. (2012). Mineral commodity summaries. U. S. Geological Survey, Reston, Virginia, 58–60.
  5. Naumov, A. V. (2005). Obzor mirovogo rynka arsenida galliya. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoy apparature, 6, 53–57.
  6. Thompson, S., Alavi, M., Hussein, M., Jacob, P., Kenyon, C., Moon, P. et. al. (2002). 130nm Logic Technology Featuring 60 nm Transistors, Low-K Dielectrics, and Cu Interconnects. Intel Technology Journal, 6 (2), 5–9.
  7. Simmons, J. G., Wei, L. S. (1974). Theory of transient emission current in MOS devices and the direct determination interface trap parameters. Solid-State Electronics, 17 (2), 117–124. doi: 10.1016/0038-1101(74)90059-8
  8. Aspnes, D. E. (1981). Studies of surface, thin film and interface properties by automatic spectroscopic ellipsometry. Journal of Vacuum Science and Technology, 18 (2), 289–295. doi: 10.1116/1.570744
  9. Ossi, P. M., Miotello, A. (2007). Control of cluster synthesis in nano-glassy carbon films. Journal of Non-Crystalline Solids, 353 (18-21), 1860–1864. doi: 10.1016/j.jnoncrysol.2007.02.016
  10. Gaan, S., Feenstra, R. M., Ebert, P., Dunin-Borkowski, R. E., Walker, J., Towe, E. (2012). Structure and electronic spectroscopy of steps on GaAs(110) surfaces. Surface Science, 606 (1-2), 28–33. doi: 10.1016/j.susc.2011.08.017
  11. Kalentyeva, I. L., Vikhrova, O. V., Zdoroveyshchev, A. V., Danilov, Y. A., Kudrin, A. V. (2016). GaAs structures with a gate dielectric based on aluminum-oxide layers. Semiconductors, 50 (2), 204–207. doi: 10.1134/s106378261602010x
  12. Yatabe, Z., Asubar, J. T., Hashizume, T. (2016). Insulated gate and surface passivation structures for GaN-based power transistors. Journal of Physics D: Applied Physics, 49 (39), 393001. doi: 10.1088/0022-3727/49/39/393001
  13. Shostachenko, S. A., Minnebaev, S. V. (2015). Vliyanie podzatvornogo dielektrika na vol't-ampernye harakteristiki tranzistora s kanalom na osnove grafenosoderzhashchey plenki. Izvestiya Yuzhnogo federal'nogo universiteta. Tekhnicheskie nauki, 94–101.
  14. Troyan, P. E., Saharov, Yu. V., Usov, S. P. (2010). Issledovanie svoystv plenok poristogo dioksida kremniya nanometrovoy tolshchiny. Doklady Tomskogo gosudarstvennogo universiteta sistem upravleniya i radioelektroniki, 1 (21), 118–122.
  15. Pizzini, S. (2015). Physical Chemistry of Semiconductor Materials and Processes. John Wiley & Sons, 440. doi: 10.1002/9781118514610
  16. Khvostov, V. V., Guseva, M. B., Babaev, V. G., Rylova, O. Y. (1985). Transformation of diamond and graphite surfaces by ion irradiation. Solid State Communications, 55 (5), 443–445. doi: 10.1016/0038-1098(85)90846-4
  17. Novosiadlyi, S. P., Terletskyi, A. I. (2016). Diahnostyka submikronnykh struktur VIS. Ivano-Frankivsk: Simyk, 478.
  18. Novosiadlyi, S. P. (2007). Fizyko-tekhnolohichni osnovy submikronnoi tekhnolohyi VIS. Ivano-Frankivsk: Simyk, 370.
  19. Novosiadlyi, S. P. (2010). Sub- i nanomikronna tekhnolohiya struktur VIS. Ivano-Frankivsk: Misto NV, 455.
  20. Novosyadlyj, S., Dzundza, B., Gryga, V., Novosyadlyj, S., Kotyk, M., Mandzyuk, V. (2017). Research into constructive and technological features of epitaxial gallium-arsenide structures formation on silicon substrates. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3 (5 (87)), 54–61. doi: 10.15587/1729-4061.2017.104563
  21. Kindrat, T. P., Melnyk, L. V., Novosiadlyi, S. P., Varvaruk, V. M. (2012). Pat. No. 77223 UA. Sposib formuvannia arsenid-halievykh struktur dlia submikronnykh NVCh – velykykh intehralnykh skhem. MPK: H01L 21/00. No. u201206974; declareted: 07.06.2012; published: 11.02.2013, Bul. No. 3.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-30

Як цитувати

Novosiadlyi, S., Kotyk, M., Dzundza, B., Gryga, V., Novosiadlyi, S., & Mandzyuk, V. (2017). Формування карбонових плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5(5 (89), 26–34. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2017.112289

Номер

Том 5 № 5 (89) (2017): ПРИКЛАДНА ФІЗИКА

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2017 Stepan Novosiadlyi, Myhaylo Kotyk, Bogdan Dzundza, Volodymyr Gryga, Svyatoslav Novosiadlyi, Volodymyr Mandzyuk

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.