Влияние размеров кристаллов на краевое излучение в нелегированном арсениде галлия

Автор(и)

  • Александр Дмитриевич Штанько Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022, Україна
  • Марина Борисовна Литвинова Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1783

Ключові слова:

Aрсенід галію, краєве випромінювання, механічні напруження

Анотація

Встановлені розміри поверхні зразків, одержаних із кристалів нелегованого арсеніду галію, при яких впливом механічних напружень на положення максимуму краєвого випромінювання при 77 К за умов надлишку як галію, так і миш'яку можна нехтувати

Біографії авторів

Александр Дмитриевич Штанько, Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022

Кандидат физико-математических наук

Кафедра автоматизации и электрооборудования

Марина Борисовна Литвинова, Национальный университет кораблестроения имени адмирала Макарова, Херсонский филиал пр. Ушакова 44, г. Херсон, Украина 73022

Кандидат физико-математических наук, доцент

Кафедра физико-математических дисциплин

Посилання

  1. Глинчук К.Д. Определение концентрации легкоионизируемых примесей в полуизолирующих нелегированных кристаллах GaAs из анализа низкотемпературной (77К) фотолюминесценции [Текст] / Литовченко Н.М., Прохорович А.В. и др. //Оптоэлектр. и полупров. техн., - 1997.- Т.32. – С. 61-71.
  2. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 261 (1973).
  3. Мильвидский М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников [Текст] / В.Б. Освенский. – М.: Металлургия, 392 (1984).
  4. Глинчук К.Д. О роли изолированных и связанных дефектов в определении спектра близкраевой люминесценции твёрдых тел [Текст] / Прохорович А.В. //ФТП. - 2004. – Т.46, №6. – С.1008 - 1012.
  5. Литвинова М.Б. Роль режима охлаждения при термообработке монокристаллов полуизолирующего GaAs [Текст] / С.В. Шутов, О.Н. Лебедь //Физика и химия обработки материалов. - 2002. - № 2. – С. 73-77.
  6. Задорожный Н.С. Влияние концентрационной неоднородности на внутренние напряжения в монокристаллах арсенида галлия [Текст] / В.Ф. Коваленко, М.Г. Мильвидский, А.В. Прохорович // Неорганические материалы. - 1991. – Т.27, №6. – С.1127 - 1130.
  7. Коваленко В.Ф Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия [Текст] / М.Б. Литвинова, В.А. Краснов //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С.198 - 204.
  8. Инденбом В.Л. Измерения напряжений в плоских спаях кремния с металлами. [Текст] / Никитенко В.И., Милевский Л.С. // В сб. Напряжения и дислокации в полупроводниках. Под ред. М.В. Классен-Неклюдовой, М: Из-во АН СССР. – С.55-60 (1970).

##submission.downloads##

Як цитувати

Штанько, А. Д., & Литвинова, М. Б. (2012). Влияние размеров кристаллов на краевое излучение в нелегированном арсениде галлия. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 2(5(50), 20–22. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2011.1783

Номер

Том 2 № 5(50) (2011): Прикладна фізика та матеріалознавство

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Александр Дмитриевич Штанько, Марина Борисовна Литвинова

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.