Властивості оптичних і фотоелектричних елементів на основі кристалів In4Se3 , In4(Se3)1-х(Te3)х

Автор(и)

  • Володимир Вікторович Стребежев Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна
  • Віктор Миколайович Стребежев Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна
  • Сергій Васильович Нічий Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна
  • Іван Миколайович Юрійчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19736

Ключові слова:

інтерференційний фільтр, пропускання, кристал, In4Se3, In4(Se3)1-xTe3x, гетероструктура, твердий розчин, фоточутливість

Анотація

Розроблені інтерференційно-абсорбційні відрізаючі фільтри  на базі кристалів In4(Se3)1-xTe3x з різним положенням межі відрізання залежно від складу x твердого розчину. Отримані фоточутливі  елементи на основі епітаксійних  гомо- і гетеропереходів на In4Se3 та In4(Se3)1-xTe3x, проведена лазерна корекція температурних залежностей їх фоточутливості. Досліджена механічна міцність і стабільність спектральних характеристик фільтрів та фоточутливих елементів при охолодженні до низьких температур.

Біографії авторів

Володимир Вікторович Стребежев, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці

Кафедра фізики напівпровідників і наноструктур
Аспірант

Віктор Миколайович Стребежев, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Кафедра фізики напівпровідників и наноструктур

Кандидат фізико математичних наук, доцент

Сергій Васильович Нічий, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Кафедра фізики напівпровідників і наноструктур
Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Іван Миколайович Юрійчук, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012, Чернівці, Україна

Кафедра фізики напівпровідників і наноструктур

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Посилання

  1. Гертович, Т. С. Электрические и оптические свойства твердых растворов In4(Se3)1-хTe3х (0,60
  2. Грицюк, Б. Н. Твердый раствор In4(Se3)1-хTe3х – материал для абсорбционных оптических фильтров [Текст] / Б. Н. Грицюк, Т. С. Мошкова, А. Д. Огородник, И. М. Раренко, Т. А. Волянская // Журнал прикладной спектроскопии. – 1999. – Т.66, №4. – С. 577-579.
  3. Мошкова, Т. С. Вплив легування на оптичні та фотоелектричні властивості монокристалів In4(Se3)1-xTe3x [Текст] / Т. С. Мошкова, Т. А. Мельничук, А. Д. Огородник, В. М. Стребежев // Украинский физический журнал. – 2005. – Т.50, №12. – С. 1254-1258.
  4. Melnychuk, T. A. Laser synthesis of thin films and layers of In4Se3, In4Te3 and modification of their structure [Text] / T. A. Melnychuk, V. N. Strebegev, G. I. Vorobets // Applied Surface Science. – 2007. – V. 254. – P. 1002.
  5. Обедзинський, Ю. К. Фоточутливі гетероструктури і фільтри інфрачервоного діапазону на монокристалах CdSb, In4Se3 [Текст] / Ю. К. Обедзинський, Б. М. Грицюк, В. В. Стрєбєжєв, В. М. Стребежев, І. М. Юрійчук // Восточно-Европейский журнал передових технологий. – 2012. – № 6/12(60). – С.44-46.
  6. Gritsyuk, B. M. IR-photodetectors on CdSb, In4Se3, In4Te3-epitaxial barrier structures [Text] / B. M. Gritsyuk, O. V. Galochkin, A. I. Rarenko, V. N. Strebezhev // Proceedings of the SPIE. – 2003. –V.5065. – P. 139-145.
  7. Vorobets, G. I. Laser manipulation of clasters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors [Text] / G. I. Vorobets, O. I. Vorobets, V. N. Strebegev // Applied Surface Science. – 2005. – V.247. – P.590-601.
  8. Losovyj, Ya. B. The anisotropic band structure of layered In4Se3 (001) [Text] / Ya. B. Losovyj, L. Makinistian, E. A. Albanesi, A. G. Petukhov, Jing Liu, P. Galiy, O. R. Dveriy, P. A. Dowben // Journal of applied physics. – 2008. – V.104. – P. 083713-1-083713-7.
  9. Makinistian, L. Ab initio calculations and ellipsometry measurements of the optical properties of the layered semiconductor In4Se3 [Text] / L. Makinistian, E. A. Albanesi, N. V. Gonzalez Lemus, A. G. Petukhov, D. Schmidt, E. Schubert, Ya. B. Losovyj, P. Galiy, P. A. Dowben // Phys.Rev.B. – 2010. – V.81, №7. – P. 075217-1–075217-8.
  10. Benramdane, N., Misho, R.H. Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation [Text] / N. Benramdane, R. H. Misho // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 1995. – V.37, N3-4. – P. 367-377.
  11. Xingfu, Li. Anisotropic optical and thermoelectric properties of In4Se3 and In4Te3 [Text] / Li Xingfu, Xu Bin, Yu Gongqi, Li Xue, Yi Lin // Journal of applied physics. – 2013. – V.113. – P. 203502.
  12. Gertovich, Т. S., Grineva, S. I., Ogorodnik, А. D., Stolyarchuk, О. Т., Tovstyuk, К. D., Scharlay, Е. S. (1985). Electrical and optical properties of In4(Se3)1-хTe3х (0,60
  13. Gritsyuk, B. M., Moschkova, Т. S., Ogorodnik, А. D., Rarenko, I. М., Volyanska, Т. А. (1999). In4(Se3)1-хTe3х solid solution – a material for optical absorption filters. Journal of Applied Spectroscopy, 66, N 4, 577-579.
  14. Moschkova, Т. S., Melnychuk, Т. А., Ogorodnik, А. D., Strebegev, В. N. (2005). Effect of doping on optical and photovoltaic properties of In4(Se3)1-xTe3x single crystals. Ukrainian Journal of Physics, 50, N12, 1254-1258.
  15. Melnychuk, T. A, Strebegev, V. N., Vorobets, G. I. (2007). Laser synthesis of thin films and layers of In4Se3, In4Te3 and modification of their structure. Applied Surface Science, 254, 1002.
  16. Obedzynskyi, Yu. K., Strebegev, V. N., Gritsyuk, B. N., Strebegev, V. V., Yuriychuk, I. М. (2012). Photosensitive heterostructures and infrared filters on CdSb and In4Se3 single crystals. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 6(12(60)), 44-46.
  17. Gritsyuk, B. M., Galochkin, O. V., Rarenko, A. I., Strebezhev, V. N. (2003). IR-photodetectors on CdSb, In4Se3, In4Te3-epitaxial barrier structures. Proceedings of the SPIE, 5065, 139-145.
  18. Vorobets, G. I., Vorobets, O. I., Strebegev, V. N. (2005). Laser manipulation of clasters, structural defects and nanoaggregates in barrier structures on silicon and binary semiconductors. Applied Surface Science, 247, 590-601.
  19. Losovyj, Ya. B., Makinistian, L., Albanesi, E. A., Petukhov, A. G., Liu, Jing, Galiy, P., Dveriy, O. R., Dowben, P. A. (2008). The anisotropic band structure of layered In4Se3 (001). Journal of applied physics, 104, 083713-1-083713-7.
  20. Makinistian, L., Albanesi, E. A., Gonzalez Lemus, N. V., Petukhov, A. G., Schmidt, D., Schubert, E., Losovyj, Ya.B., Galiy, P., Dowben P.A. (2010). Ab initio calculations and ellipsometry measurements of the optical properties of the layered semiconductor In4Se3. Phys.Rev.B., 81, N7, 075217-1–075217-8.
  21. Benramdane, N., Misho, R. H. (1995). Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation. Solar Energy Materials and Solar Cells, 37, N3-4, 367-377.
  22. Xingfu, Li., Bin, Xu, Gongqi, Yu, Xue, Li, Lin, Yi. (2013). Anisotropic optical and thermoelectric properties of In4Se3 and In4Te3. Journal of applied physics, 113, 203502.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-01-04

Як цитувати

Стребежев, В. В., Стребежев, В. М., Нічий, С. В., & Юрійчук, І. М. (2014). Властивості оптичних і фотоелектричних елементів на основі кристалів In4Se3 , In4(Se3)1-х(Te3)х. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(66), 113–116. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.19736

Номер

Том 6 № 12(66) (2013): Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Розділ

Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікацій, нано - і мікроелектроніки

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Володимир Вікторович Стребежев, Віктор Миколайович Стребежев, Сергій Васильович Нічий, Іван Миколайович Юрійчук

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.