Основні електрофізичні параметри ниткоподібних мікрокристалів твердого розчину GaxIn1-xAs

Автор(и)

  • Інеса Антонівна Большакова Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013, Україна https://orcid.org/0000-0002-1730-1956
  • Ярослав Ярославович Кость Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013, Україна https://orcid.org/0000-0003-1280-4287
  • Олена Юріївна Макідо Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013, Україна https://orcid.org/0000-0002-1874-4353
  • Роман Михайлович Стецко Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013, Україна https://orcid.org/0000-0001-5662-2982
  • Федір Михайлович Шуригін Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013, Україна https://orcid.org/0000-0002-8217-0972

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.21046

Ключові слова:

ниткоподібні мікрокристали, GaxIn1-xAs, електрофізичні параметри, ширина забороненої зони, радіаційна стійкість

Анотація

Представлено результати дослідження електрофізичних параметрів (постійної Холла, питомого опору, рухливості) вирощених ниткоподібних мікрокристалів GaxIn1-xAs в діапазоні складів 0,3≤x≤0,8, характер зміни яких в зоні власної та змішаної провідності дозволили обчислити ширину забороненої зони. Аналіз радіаційної стійкості вирощених мікрокристалів проводили на основі зміни електрофізичних параметрів матеріалу, визначених до та після опромінення нейтронами.

Біографії авторів

Інеса Антонівна Большакова, Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013

Доктор технічних наук, професор, завідувач лабораторії

Лабораторія магнітних сенсорів

Кафедра напівпровідникової електроніки

Ярослав Ярославович Кость, Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013

Кандидат технічних наук, науковий співробітник.

Лабораторія магнітних сенсорів

Олена Юріївна Макідо, Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013

Кандидат технічних наук, старший науковий співробітник

Лабораторія магнітних сенсорів

Роман Михайлович Стецко, Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013

Молодший науковий співробітник.

Лабораторія магнітних сенсорів

Федір Михайлович Шуригін, Національний університет «Львівська політехніка» вул. Котляревського 1, м. Львів, Україна 79013

Кандидат технічних наук, провідний спеціаліст.

Лабораторія магнітних сенсорів

Посилання

  1. Kawashima, Toshiyuki Thermal- and Spectral-Characteristics of High-Power Quasi-Continuous Wave 940-nm InGaAs Diode Laser Arrays [Text] / Toshiyuki Kawashima, Tomokazu Ichii, Takeshi Kanzaki, Masanobu Yamanaka, Yasukazu Izawa, Sadao Nakai, Hirofumi Kan // Optical Review. – 2000. – Vol. 7, Is. 6. – P 520-524.
  2. Liu, G. T. The Influence of Quantum-Well Composition on the Performance of Quantum Dot Lasers Using InAs/InGaAs Dots-ina Well (DWELL) Structures [Text] / G. T. Liu, A. Stintz, H. Li, T. C. Newell, A. L. Gray, P. M. Varangis, K. J. Malloy, L. F. Lester // IEEE J. OF QUANTUM ELECTRONICS. – 2000. – Vol. 36, № 11. – P 1272-1279.
  3. Dowd, P. Long wavelength (1.3 and 1.5 μm) photoluminescence from InGaAs/GaPAsSb quantum wells grown on GaAs [Text] / P. Dowd, W. Braun, David J. Smith, C.M. Ryu, C.-Z. Guo, S. L. Chen, U. Koelle, S. R. Johnson, Y.-H. Zhang // Appl. Phys. Lett. – 1999. – Vol. 75, Is. 9. – P 1267-1269.
  4. Брудный, В. Локальная электронейтральность и закрепление химическогопотенциала в твердых растворах соединений III–V: границы раздела, радиационные эффекты [Текст] / В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, № 3. – С. 315-318.
  5. Дубровский, В. Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения. Обзор [Текст] / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. – 2009. –Т. 43, Вып. 12. – С. 1585-1628.
  6. Большакова, І. Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази [Текст] / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, Ф. М. Шуригін // Вісник НУ „Львівська Політехніка”. Електроніка. – 2013. – № 764. – С. 112-118.
  7. Большакова, І. Дослідження температурної залежності параметрів легованих мікрокристалів антимоніду індію в інтервалі температур 77.525 К [Текст] / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Т. А. Московець, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник НУ «Львівська політехніка». Електроніка. – 2003. – № 482. – С. 86-91.
  8. Bolshakova, I. Mathematical simulation, synthesis, characterization and application of indium arsenide whiskers [Text] / I. Bolshakova, Y. Kost, E. Makido, F. Shurygin // Journal of Crystal Growth. – 2008. – Vol. 310, Is. 7-9. – P. 2254-2259.
  9. Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп [Текст]: Перевод с английского / О. Маделунг. – М. : Мир 1967. – 480 с.
  10. Новые полупроводниковые материалы. Наноструктуры. Биологические системы. Характеристики и свойства [Електронний ресурс]. – NSM Archive. Physical properties of Gallium Indium Arsenide (GaInAs). База даних ФТИ им. Иоффе РАН. – Режим доступу http://www.matprop.ru/GaInAs.
  11. Adachi, S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors [Text] / S. Adachi // John Wiley & Sons, 2009. – 400 p.
  12. Брудный, В. Модель самокомпенсации и стабилизации уровня Ферми в облученных полупроводниках [Текст] / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Л. С. Смирнов // Физика и техника полупроводников. – 2007. – Т. 41, № 9. – С. 1031-1040.
  13. Большакова, И. Влияние нейтронного облучения на свойства нитевидных микрокристаллов n-InSb [Текст] / И. А. Большакова, В. М. Бойко, В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин, Е. Ю. Макидо, Т. А. Московец, Д. И. Меркурисов // Физика и техника полупроводников. – 2005. – Т. 39, № 7. – С. 814-819.
  14. Kolin, N. Neutron-Transmutation Doping and Radiation Modification of Semiconductors: Current Status and Outlook [Text] / N. Kolin // Russian Physics Journal. – 2003. – Vol. 45, № 6. – P. 543-551.
  15. Брудный, В.Н. Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов [Текст] / В. Н. Брудный, Н. Г. Колин, Д. И. Меркурисов, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. – 2005. – Т. 39, № 5. - С. 528-534.
  16. Kawashima, Toshiyuki, Ichii, Tomokazu, Kanzaki, Takeshi, Yamanaka, Masanobu, Izawa, Yasukazu, Nakai, Sadao, Kan, Hirofumi (2000). Thermal- and Spectral-Characteristics of High-Power Quasi-Continuous Wave 940-nm InGaAs Diode Laser Arrays. Optical Review, Vol. 7, Is. 6, 520-524.
  17. Liu, G. T., Stintz, A., Li, H., Newell, T. C., Gray, A. L., Varangis, P. M., Malloy, K. J., Lester, L. F. (2000). The Influence of Quantum-Well Composition on the Performance of Quantum Dot Lasers Using InAs/InGaAs Dots-in-a-Well (DWELL) Structures. IEEE J. OF QUANTUM ELECTRONICS, Vol. 36, № 11, 1272-1279.
  18. Dowd, P., Braun, W., Smith, David J., Ryu, C. M., Guoet, C.-Z. (1999). Long wavelength (1.3 and 1.5 μm) photoluminescence from InGaAs/GaPAsSb quantum wells grown on GaAs. Appl. Phys. Lett.75, Is. 9; 1267-1269.
  19. Brudnyi, V. N., Hryniaev, S. N. (1998). Lokalnaia elektroneitralnost i zakreplenye khymycheskoho potentsyala v tverdikh rastvorakh soedynenyi III–V: hranytsi razdela, radyatsyonnie effekti. Fizika I tekhnika poluprovodnikov. Vol. 32, № 3, 315-318.
  20. Dubrovskiy, V. G., Tsyirlin, G. E., Ustinov, V. M. (2009). Poluprovodnikovyie nitevidnyie nanokristallyi: sintez, svoystva, primeneniya. Obzor. Fizika i tehnika poluprovodnikov, Vol. 43, Is. 12, 1585-1628.
  21. Bolshakova, I. A., Kost, Ya. Ya., Makido, O. Yu., Stetsko, R. M., Shuryhin, F. M. (2013). Vlastyvosti viskeriv tverdoho rozchynu GaxIn1-xAs, vyroshchenykh metodom khimichnykh transportnykh reaktsii z hazovoi fazy. Visnyk NU „Lvivska Politekhnika”. Elektronika, 764, 112-118.
  22. Bolshakova, I. A., Zaiachuk, D. M., Moskovets, T. A., Makido, O. Yu., Koptsev, P. S., Shuryhin, F. M. (2003). Doslidzhennia temperaturnoi zalezhnosti parametriv lehovanykh mikrokrystaliv antymonidu indiiu v intervali temperatur 77.525 K. Visnyk NU ≪Lvivska politekhnika≫. Elektronika, 482, 86-91.
  23. Bolshakova, I. A., Kost, Ya. Ya., Makido, O. Yu., Shuryhin, F. M. (2008). Mathematical simulation, synthesis, characterization and application of indium arsenide whiskers. Journal of Crystal Growth, Vol. 310, Is. 7-9, 2254-2259.
  24. Madelung, O. (1967). Fizika poluprovodnikovyih soedineniy elementov III i V grupp. Perevod s angliyskogo. Moskva, Mir, 480.
  25. Novyie poluprovodnikovyie materialyi. Nanostrukturyi. Biologicheskie sistemyi. Harakteristiki i svoystva. NSM Archive - Physical properties of Gallium Indium Arsenide (GaInAs). Baza danih FTI im. Ioffe RAN. http://www.matprop.ru/GaInAs.
  26. Adachi, S. (2009). Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. John Wiley & Sons, 400. 12. Brudnyiy, V. N., Kolin, N. G., Smirnov, L. S. (2007). Model samokompensatsii i stabilizatsii urovnya Fermi v obluchennyih poluprovodnikah. Fizika i tehnika poluprovodnikov, Vol. 41, № 9, 1031-1040.
  27. Bolshakova, I. A., Boyko, V. M., Brudnyiy, V. N., Kamenskaya, I. V., Kolin, N. G., Makido, E. Yu., Moskovets, T. A., Merkurisov, D. I. (2005). Vliyanie neytronnogo oblucheniya na svoystva nitevidnyih mikrokristallov n-InSb. Fizika i tehnika poluprovodnikov, Vol. 39, Is. 7, 814-819.
  28. Kolin, N. (2003). Neutron-Transmutation Doping and Radiation Modification of Semiconductors: Current Status and Outlook. Russian Physics Journal, Vol. 45, № 6, 543-551.
  29. Brudnyiy, V. N., Kolin, N. G., Merkurisov, D. I., Novikov, V. A. (2005). Elektrofizicheskie i opticheskie svoystva InP, obluchennogo bolshimi integralnyimi potokami neytronov. Fizika i tehnika poluprovodnikov, Vol. 39, № 5, 528-534.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-02-07

Як цитувати

Большакова, І. А., Кость, Я. Я., Макідо, О. Ю., Стецко, Р. М., & Шуригін, Ф. М. (2014). Основні електрофізичні параметри ниткоподібних мікрокристалів твердого розчину GaxIn1-xAs. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(5(67), 27–33. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.21046

Номер

Том 1 № 5(67) (2014): Прикладна фізика

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Інеса Антонівна Большакова, Ярослав Ярославович Кость, Олена Юріївна Макідо, Роман Михайлович Стецко, Федір Михайлович Шуригін

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.