Установка для вирощування кристалів методом спрямованої кристалізаціі у гарнісажі

Автор(и)

  • Владимир Иванович Таранюк Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001, Україна https://orcid.org/0000-0001-6626-2642
  • Александр Вульфович Гектин Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001, Україна https://orcid.org/0000-0002-1733-0343
  • Александр Владимирович Колесников Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001, Україна https://orcid.org/0000-0001-7095-9215

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.21059

Ключові слова:

метод спрямованої кристалізації, гарнісажний метод, кристал, лабораторна установка, вирощування кристалу

Анотація

Розглядається лабораторна установка для вирощування галоїдних кристалів діаметром 40 мм висотою 15 мм з температурою плавлення до 900°С методом спрямованої кристалізації в гарнісажі. Показана схема системи управління і конструкція теплового вузла. На прикладі кристалів LiF і PbF2 описана процедура вирощування і показано, що метод є ефективним для вирощування лабораторних кристалів.

Біографії авторів

Владимир Иванович Таранюк, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001

Завідувач сектору впровадження технології вирощування монокристалів

Александр Вульфович Гектин, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001

Доктор фізико-математичних наук

Заступник директора з науки

Александр Владимирович Колесников, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України пр. Леніна, 60, м. Харків, Україна, 61001

Кандидат технічних наук

Заступник завідувача відділу технології вирощування монокристалів

Посилання

  1. Bridgman, P. W. Certain physical properties of single crystals of tungsten, antimony, bismuth, tellurium, cadmium, zinc and tin [Text] / P. W. Bridgman // Proc. Am. Acad. – 1925. – Vol. 60. – P. 305-383.
  2. Kyropoulos, S. Ein Verfahren zur Herstellung grosser Kristalle [Text] / S. Kyropoulos // Anorg Z. Chem. – 1926. – Т. 154. – С. 308-31.
  3. Fukuda, T. Shaped Crystals Growth by Micro-Pulling-Down Technique [Text] / T. Fukuda, V. I. Chani // Springer. – 2007. – XV. – 341 с.
  4. Uda, S. Analysis of Ge distribution in Si1 − xGex single crystal fibers by the micro-pulling down method [Text] / S. Uda, J. Kon, K. Shimamura, T. Fukuda // J Cryst Growth. – 1996. – Т. 167. – С. 64-73.
  5. Mueller, M. Device for making monocrystalline or multicrystalline materials, in particular multicrystalline silicon [Text] / M. Mueller, M. Finkbeiner, U. Sahr, I. Schwirtlich // patent US 7,811,383 B2 2010.
  6. Kisil, I. I. Growing of NaI:Tl crystal plates in garnissage [Text] / I. I. Kisil, V. I. Taranyuk, S. V. Yaroslavkin // Funct Mater. – 2008. – Т. 15(4). – С. 600-603.
  7. Taranyuk, V. NaI(Tl) and CsI(Tl) scintillation crystal growth by skull method [Text] / V. Taranyuk, A. Gektin, I. Kisil, A. Kolesnikov // J Cryst Growth. – 2011. – Т. 318(1). – С. 820-822.
  8. Неуструев, А. А. Вакуумные гарнисажные печи [Text] / А. А. Неуструев, Г.Л. Ходоровский // М.: Металлургия. – 1967. – 272 с.
  9. Kuz’minov, Yu S. Cubic Zirconia and Skull Melting [Text] / Yu S. Kuz’minov, E. E. Lomonova, V. V. Osiko // Cambridge International Science Publishing. –2008. – 420 с.
  10. Ren, G. Structural defects and characteristics of lead fluoride (PbF2) crystals grown by non-vacuum Bridgman method [Text] / G. Ren, D. Shen, S. Wang, Z. Yin // J Cryst Growth. – 2002. – Т. 243. – С. 539-545.
  11. Bridgman, P. W. (1925). Certain physical properties of single crystals of tungsten, antimony, bismuth, tellurium, cadmium, zinc and tin. Proc Am Aca, 60, 305-383.
  12. Kyropoulos, S. (1926). Ein Verfahren zur Herstellung grosser Kristalle. Anorg Z Chem, 154, 308-311.
  13. Fukuda, T., Chani, V. I. (2007). Shaped Crystals Growth by MicroPulling-Down Technique. Springer, XV, 341.
  14. Uda, S., Kon, J., Shimamura, K., Fukuda, T. (1996). Analysis of Ge distribution in Si1 − xGex single crystal fibers by the micro-pulling down method. J Cryst Growth, 167, 64-73.
  15. Mueller, M., Finkbeiner, M., Sahr, U., Schwirtlich, I., (2010). Patent US 7,811,383 B2 2010. Device for making monocrystalline or multicrystalline materials, in particular multicrystalline silicon.
  16. Kisil, I. I., Taranyuk, V. I., Yaroslavkin, S. V., (2008). Growing of NaI:Tl crystal plates in garnissage. Funct Mater, 15(4), 600-603.
  17. Taranyuk, V., Gektin, A., Kisil, I., Kolesnikov, A. (2011). NaI(Tl) and CsI(Tl) scintillation crystal growth by skull method. J Cryst Growth, 318(1), 820-822.
  18. Neustruev, A. A. (1967). Vacuum skull furnace. Moscow, USSR: Metallurgy, 272.
  19. Kuz’minov, Yu S., Lomonova, E. E., Osiko, V. V. (2008). Cubic Zirconia and Skull Melting. Cambridge International Science Publishing, 420.
  20. Ren, G., Shen, D., Wang, S., Yin, Z. (2002). Structural defects and characteristics of lead fluoride (PbF2) crystals grown by nonvacuum Bridgman method. J Cryst Growth, 243, 539-545.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-02-07

Як цитувати

Таранюк, В. И., Гектин, А. В., & Колесников, А. В. (2014). Установка для вирощування кристалів методом спрямованої кристалізаціі у гарнісажі. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(5(67), 4–7. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.21059

Номер

Том 1 № 5(67) (2014): Прикладна фізика

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Владимир Иванович Таранюк, Александр Вульфович Гектин, Александр Владимирович Колесников

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.