Влияние P,Т-обработки на свойства монокристалла сапфира
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2009.21066Ключові слова:
вплив, термообробка, структура, властивості, монокристали, сапфірАнотація
Вивчено вплив термообробки при високих тисках в різних середовищах на структуру і властивості монокристалів сапфіра
Посилання
- Литвинов Л. А. Сапфировые медицинские имплантаты // Изв. АН СССР. Сер. физ. – 1988. –52, № 10. – С. 19-11–1913.
- Твердые тела под высоким давлением / Под ред. В. Пол, Д. Варшауэр. – М.: Мир, 1966. – 524 c.
- Упрочнение материалов методами гидропрессования / Волков К. В., Капустин А. И., Спусканюк В. З., Черный Ю. Ф. – К.: Наук. думка, 1991. – 196 с.
- Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.F. & Novikov, A.P. Device of toroid type for high pressure generation. // High Temp. High Press, 9, 637 (1977).
- М88 УССР ИСМ 25-79. Методика определения давления для спекания «карбонита» в камере высокого давления. – К.: Изд-во ИСМ АН УССР, 1979. – 11 с.
- Методика измерения температуры в камере высокого давления типа «наковален» с углублениями. – К.: Изд-во ИСМ АН УССР, 1974. – 36 с.
- Центр колективного користування науковими приладами (ЦККП) „Скануюча електронна мікроскопія і мікроаналіз (СЕММА) [Электронный ресурс] – http://www.ism.kiev.ua/site/ tools/russ/center2.html.
- Глазов В. М., Вигдорович В. Н. Микротвердость металлов и полупроводников – М.: Металлургия, 1969. – 248 с.
- Порай-Кошиц М.А. Основы структурного анализа химических соединений– М.: Высшая школа. 1982. – 151 с.
- The effect of thermal shocks on the stress in a sapphire wafer / T. Vodenitcharova, L. C. Zhang, I. Zarudi at al. // IEEE Transactions on semiconductor manufacturing, 19, 449 (2006).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 А. А. Шульженко, О. А. Розенберг, А. Н. Соколов
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
