Вплив арсенідгелієвої технології на формування структур інтегральних схем

Автор(и)

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025, Україна https://orcid.org/0000-0001-7716-2241
  • Любомир Васильович Мельник Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025, Україна https://orcid.org/0000-0002-8348-6864

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.24807

Ключові слова:

легування, домішки, тунелювання, межа, рекомбінації, гетероперехід, імплантація, активація, покриття

Анотація

Дана стаття і направлена на визначення взаємозв‘язку межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур таких приладів повинна забезпечувати необхідну стабільність структури міжфазної межі і можливість отримання високоякісних шарів на великій площі підкладок (діаметром >100мм). 

Біографії авторів

Степан Петрович Новосядлий, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025

Доктор технічних наук, професор

Кафедра комп'ютерної інженерії та електроніки

Любомир Васильович Мельник, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025

Аспірант

Кафедра комп'ютерної інженерії та електроніки

Посилання

  1. Новосядлий, С. П. Суб-наномікрона технологія структур ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. – Івано-Франківськ Місто НВ, 2010. – 456 с.
  2. Новосядлий, С. П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології ВІС [Текст] / С. П. Новосядлий. – Івано-Франківськ : Сімка, 2003. – С. 52–54.
  3. Буджак, Я. С. Лабораторно-розрахунковий практикум з фізики напівпровідників та теорії твердого тіла [Текст] / Я. С. Буд¬жак, П. І. Мельник, С. П. Новосядлий. – Альт, 2008. – 240 с.
  4. Пека, Г. П. Варизонные полупроводники [Текст] / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, А. Н. Смоляр; под ред. Г. П. Пека. – К.: Выща шк., 1989. – 251 с.
  5. Черилов, А. В. Исследование електрофизических характеристик ионно-легированих слоев GaAs [Текст] / А. В. Черилов. – Електронная техника, 1984. – С. 8–12.
  6. TSANG, W. T. Extremely low threshold AlGaAs graded index wave guide separate confinement heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy [Text] / W. T. TSANG. – Appl. Phys. Lett. – 1982. –Vol. 40. – P. 217–219.
  7. Горщеев, Л. И. Влияние легирующей примеси на механические и рекомбинационные параметры варизонных твердых растворов AlGaAs [Текст] / Л. И Горщеев, В. Ф. Коваленко, Б. М. Масенко.: Укр-физ журнал. – 1982. – Т. 27. – С. 568–571.
  8. Sassi, G. Theoretical analysis of solar cells based on graded band‐gap strutures [Text] / G. Sassi // Journal of Applied Physics – 1983. – Vol. 54. – P. 5421–5427.
  9. Базбек, А. И. Быстродействующие светодиоды на основе варизонных твердых растворов AlGaAs(Si) [Текст] / А. И. Базбек, В. Ф. Коваленко, В. А. Краснов. // Журнал прикладной спектроскопии. – 1986. – T. 45. – С. 274–279.
  10. Новосядлий, С. В. Високоекфективні структури сонячних елементів на основі аморфного гідрогенізованого кремнію [Текст] : Матер. ІІ Міжн.науково-прак. конф. / С. В. Новосядлий, Л. В. Мельник, Т. П.Кіндрат // Фізико-технологічні проблеми радіотехнічних пристроїв, засобів телекомунікації , нано-та мікроелектроніки. – 2012. – С. 172–173.
  11. Новосядлий, С. В. Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах GaAs [Текст] / С. П. Новосядлий, С. М Марчук, Т. Р. Сорохтей, Ю. В.Возняк. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. – С. 416–428.
  12. Патент на корисну модель № 68203 МПК Н01L21/20 від 26.03.12. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках [Текст] / Новосядлий С. П., Вівчарук В. М., Кіндрат Т. П. – Прикарпатський національний університет. – 7 c.
  13. Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub-nanomykron technology structures LSI. Ivano-Frankivsk City NV, 456.
  14. Novosyadlyy, S. P. (2003). Physical and technological bases submicron VLSI. Ivano-Frankivsk Seven, 52–54.
  15. Budzhak, J. S, Melnyk, P. I, Novosyadlyy, S. P. (2008). Laboratory-rated workshop on Physics of semiconductor leaders and solid state theory, Alt, 240.
  16. Peka, G. P. (1989). Gradedbandgapsemiconductors. High School, 251.
  17. Cherylov, A. V. (1984). Investigation of electro-physical characteris¬tics of ion-doped layers GaAS. Electronic equipment, 8–12.
  18. Tsang, W. T. (1982). Extremely low threshold AlGaAs graded index wave guide separate confinement heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett, Vol. 40, 217–219.
  19. Gorscheev, L. I, Kovalenko, V. F., Masenko, B. M. (1982). Influence of doping on the mechanical and recombination parameters variband AlGaAs solid solutions. Ukr-nat magazine, Vol. 27, 568–571.
  20. Sassi, G. (1983).Theoretical analysis of solar cells based on graded bandgap strutures. Journal of Applied Physics, Vol. 54, 5421–5427.
  21. Bazbek, A. I, Kovalenko, V. F, Krasnov, V. A. (1986). High Speed LED based solid solutions variband AlGaAs (Si). Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 45, 274–279.
  22. Novosyadlyy, S. P, Melnyk, L. V, Kindrat, T. P. (2012). Highly effi¬cient solar cell structures based on amorphous hydrogenated silicon. Physical and technological problems of wireless devices, means of tele-communications, nano-and microelectronics, 14.
  23. Novosyadlyy, S. P, Marchyk, S. M, Sorohtey, T. R, Voznyak, Y. V. (2012). The efficacy heternyh technology in GaAs structures. Phys¬ics and Chemistry of Solids, 416–428.
  24. Novosyadlyy, S. P., Vivchruk, V. M, Kindrat, T. P. (2012). (Patent) Method of forming epitaxial gallium arsenide-layers on single-crystal silicon substrates. Carpathian National University, 7.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-06-22

Як цитувати

Новосядлий, С. П., & Мельник, Л. В. (2014). Вплив арсенідгелієвої технології на формування структур інтегральних схем. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(5(69), 25–32. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.24807

Номер

Том 3 № 5(69) (2014): Прикладна фізика. Матеріалознавство

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Любомир Васильович Мельник

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.