Особливості схемотехнічного та фізико-топологічного проектування аналогових інтегральних компараторів

Автор(и)

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025, Україна https://orcid.org/0000-0001-7716-2241

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.26251

Ключові слова:

операційний підсилювач, однопороговий аналоговий компаратор та гістерезисний компаратор Шмітта, К-МОН

Анотація

На практиці найбільше поширення отримали пристрої, які формують на виході або напругу протилежної полярності при практично рівних абсолютних значеннях, або напругу однієї полярності. Перший варіант характерний для використання в ролі схеми порівняння операційного підсилювача (ОП), а другий-при використанні спеціалізованих інтегральних схем.

Біографія автора

Степан Петрович Новосядлий, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025

Доктор технічних наук, професор

Кафедра комп'ютерної інженерії та електроніки

Посилання

  1. Zhuikov, V. Y, Boyko, V. S, Zori, A. A. (2002). Circuitry electronic systems: Textbook in two volumes, 408.
  2. Senko, E. V, Panasenko, M. V. (2000). Electronics and microcircuitry, 300.
  3. Senko, E. V., Panasenko, M. V. (2002). Electronics and microcircuitry, 510.
  4. Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub-nanomykron technology structures LSI. Ivano-Frankivsk City NV, 456.
  5. Novosyadlyy, S. P. (2003). Physical and technological bases submicron VLSI. Ivano-Frankivsk Seven, 52–54.
  6. Novosyadlyy, S. P. (2002). Radiation technology in the formation, submicron VLSI structures, 1003–1013.
  7. Novosyadlyy, S. P. (2002). Formation of silicon epitaxial structures for the combined VLSI, 353–365.
  8. Novosyadlyy, S. P. (2002). Technology CAD based test structures, 3 (31), 179–189.
  9. Novosyadlyy, S. P, Melnyk, L. V, Kіndrat, T. P. (2013). Physical – technical features of formation of gallium arsenide submicron metallization structures by ion milling. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4 (5), 1–6.
  10. Ifeachor, E. C., Jervis, B. W., Morris, E. L., Allen, E. M., Hudson, N. R. (1986). A new microcomputer-based online ocular artefact removal (OAR) system. IEE Proceedings A Physical Science, Measurement and Instrumentation, Management and Education, Reviews, 133(5), 291. doi:10.1049/ip-a-1.1986.0040
  11. Ifeachor, E. C., Hellyar, M. T., Mapps, D. J., Allen, E. M. (1990). Knowledge-based enhancement of human EEG signals. IEE Proceedings F Radar and Signal Processing, 137(5), 302. doi:10.1049/ip-f-2.1990.0046
  12. Harris, S. P., Ifeachor, E. C. (1998). Automatic design of frequency sampling filters by hybrid genetic algorithm techniques. IEEE Transactions on Signal Processing, 46 (12), 3304–3314. doi:10.1109/78.735305
  13. Simon, V. V., Kornilov, L. (1988). Equipment of ion implantation. Radio and Communications, 354.
  14. Ryssel, H. Ruge, I. (1983). Ion implantation. Science, 360.
  15. Boltaks, B. I. Kolotov, M. N. Skoretyna, E. A. (1983). Deep centers in gallium arsenide tied up with their own structural defects, 10.
  16. Afanasiev, V. A. Duhvskyy, M. Krasov, G. A. (1984). Equipment for impulse heat treatment of semiconductor materials, 56–58.
  17. Okamoto, T. (1985). Devices of ion implantation, 1322–1325.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-08-13

Як цитувати

Новосядлий, С. П. (2014). Особливості схемотехнічного та фізико-топологічного проектування аналогових інтегральних компараторів. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(70), 4–15. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.26251