Про утворення стратової неоднорідності в монокристалах кремнію

Автор(и)

  • Анна Александровна Якименко Запорізька державна інженерна академія, Україна
  • Иван Федорович Червоный Запорізька державна інженерна академія, Україна https://orcid.org/0000-0001-9508-5112

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.27982

Ключові слова:

кремній, фронт кристалізації, монокристал, домішка, неоднорідність, страти, мікросхема, концентрація, переохолодження, фаза

Анотація

У роботі виконано аналіз накопичення домішки в розплаві у фронту кристалізації при вирощуванні монокристалів кремнію і розглянута модель прискореної кристалізації цієї області розплаву. Для усунення або значного зниження характеристик страт, пропонується застосовувати режими вирощування монокристалів при високих швидкостях, що виключить накопичення домішки з фронту кристалізації і забезпечить однорідний її розподіл за обсягом монокристала.

Біографії авторів

Анна Александровна Якименко, Запорізька державна інженерна академія

Студент

Кафедра металургії кольорових металів

Иван Федорович Червоный, Запорізька державна інженерна академія

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедрою

Кафедра металурги кольорових металів

Посилання

  1. 1. Lektsiya 17. Osnovnyie printsipyi nanotehnologii. Perspektivyi nanoteh-nologii v sistemah zapisi i hraneniya informatsii. Available at: http://rudocs.exdat.com/docs/index-247352.html (Last accesed: 10.09.2014).

    2. Zakon Mura i ego vliyanie na mikroprotsessoryi. Sozdaem svoy protsessor. Available at: http://www.igropolis.com/articles/46496/Zakon_Mura_i_ego_vliyanie_na_mikroprocessory.htm] (Last accesed: 12.09.2014)

    3. Friedrich, J., Stockmeier, L., Muller, G. (2013). Constitutional Supercooling in Czochralski Growth of Heavily Doped Silicon Crystals. Acta Physica Polonica, 124 (2), 219. Available at: http://connection.ebscohost.com/c/articles/89750179/constitutional-supercooling-czochralski-growth-heavily-doped-silicon-crystals (last accessed:10.09.2014).

    4. 5th International Workshop on Crystal Growth Technology (2011). Berlin, Germany, 32. Available at: http://iwcgt5.ikz-berlin.de/fileadmin/pdf/IWCGT5_Abstractbook.pdf (Last accessed: 01.09.2014).

    5. Patent RU 2257428. Byivalyiy. Sposob polucheniya odnorodnyih mono-kristallov. pulished 27.07.2005. Byul. № 2. Available at: http://www.freepatent.ru/images/patents/211/2257428/patent-2257428.pdf (Last accessed: 15.09.2014).

    6. 5th International Workshop on Crystal Growth Technology (2011). Berlin, Germany, 79. Available at: http://iwcgt5.ikz-berlin.de/fileadmin/pdf/IWCGT5_Abstractbook.pdf (Last accessed: 15.08.2014).

    7. Nashelskiy, A. Ya. (1972). Tehnologiya poluprovodnikovyih materialov. Moscow: Metallurgiya, 432.

    8. Falkevich, E. S., Pulner, E. O., Chervonyiy, I. F., Shvartsman, L. Ya., Yarkim, V. N., Salli, I. V., Pulner, E. O., Chervonyiy, I. F. (1992). Tehnologiya poluprovodnikovogo kremniya. Moscow: Metallurgiya, 408.

    9. Glazov, V. M., Zemskov, V. S. (1967). Fiziko-himicheskie osnovyi legirovaniya poluprovodnikov. Moscow: Nauka, 367.

    10. Sluchinskaya, I. A. (2002). Osnovyi materialovedeniya i tehnologii polupro-vodnikov. Moscow: Nauka, 376. Available at: http://www.twirpx.com/file/96095/ (Last accessed: 17.08.2014).

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-10-21

Як цитувати

Якименко, А. А., & Червоный, И. Ф. (2014). Про утворення стратової неоднорідності в монокристалах кремнію. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5(5(71), 22–25. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.27982