Розрахунок теплового режиму напівпровідникових приладів в умовах роботи у складі напівпровідникових апаратів

Автор(и)

  • Анатолій Георгійович Сосков Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова, Україна https://orcid.org/0000-0002-2088-1736
  • Марина Леонідівна Глєбова Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова, Україна https://orcid.org/0000-0002-0973-150X
  • Наталія Олегівна Сабалаєва Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова, Україна https://orcid.org/0000-0002-7015-1811
  • Яна Борисівна Форкун Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова, Україна https://orcid.org/0000-0002-5718-1426

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.27983

Ключові слова:

перевищення температури, струмове навантаження, теплофізична модель, напівпровідниковий ключ, напівпровідниковий апарат

Анотація

У статті виконані дослідження температурного поля силових напівпровідникових приладів при дії струмового імпульсу довільної форми на основі моделі, що адекватно відтворює їх конструкцію; розроблена інженерна методика розрахунку, що дозволяє правильно розраховувати тепловий режим роботи напівпровідникових приладів у складі напівпровідникових апаратів і раціонально вибирати їх тип; наведені приклади розрахунку.

Біографії авторів

Анатолій Георгійович Сосков, Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Марина Леонідівна Глєбова, Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Наталія Олегівна Сабалаєва, Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Яна Борисівна Форкун, Харківський національний університет міського господарства імені О.М. Бекетова

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Посилання

  1. 1. Soskov, A. G., Soskova,I.A. (2005). Poluprovodnikovyie apparatyi: kommutatsiya, upravlenie, zaschita.Kiev: Karavela, 344.

    2. Atmaji, A. M. S., Sloot, J. G. J. (1998). Hybrid Switching: A Revew of Current Literature. IEEE-Proceedings of EMPD, 683–688. DOI: 10.1109/empd.1998.702771

    3. Soskov, A. G. (2011). Usovershenstvovannyie silovyie kommutatsionnyie poluprovodnikovyie apparatyi nizkogo napryazheniya: monografiya. Kharkov : HNAGH, 156.

    4. Soskov, A. G., SabalaEva, N. O. (2012). GIbridnI kontaktori nizkoYi naprugi z pokraschenimi tehnIko-ekonomIchnimi harakteristikami: monografIya. Kharkov : HNAGH, 268.

    5. Atmaji, A. M. S. (2000). Direct current hybrid breakers: A design and its realization.Eindhoven: Technische UniversiteitEindhoven, 195.

    6. Voronin, P. A. (2005). Silovyie poluprovodnikovyie klyuchi: semeystva, harakteri-stiki, primenenie. Moskow : Dodeka-XXI, 384.

    7. Stan, M. R., Skadron, K., Barcella M., Huang, W., Sankaranarayanan, K., Velusamy, S. (2002). Hot spot: A Dynamic Compact Thermal Model at the Processor-Architecture Level. Microelectron. J., 34 (12), 1153–1165. DOI: 10.1016/s0026-2692(03)00206-4

    8. Touzelbaev, M. N., Miler, J., Yang, Y., Refai-Ahmed, G., Goodson, K. E. (2013). High-Efficiency Transient Temperature Calculations for Applications in Dynamic Thermal Management of Electronic Devices. Journal of Electronic Packaging, 135 (3), 031001-1 to 031001-8. DOI: 10.1115/1.4024747

    9. Hasan, S. (1994). The Critical Switching Parameters of a New Hybrid AC Low Voltage Circuit Breaker without and with ZnO Varistor. Liege, 6th Int. Symp. On Short-Circuit Currents in Power Sistem, 311–318.

    10. Lyikov, L. V. (1967). Teoriya teploprovodnosti. Moskow : Vyisshaya shkola, 599.

    11. Samarskiy, A .A., Gulin, A. V. (1989). Chislennyie metodyi. Moskow : Nauka, gl. red. fiz.-mat. lit., 432.

    12. Hsu, J. T., Vu-Quoc L. (1996). A Rational Formulation Thermal Circuit Models for Electrotermal Simulation – Part I: Finite Element Method. IEEE Transactions on Circuits and Systems I:Fundamental Theory and Applications, 43 (9), 721–732. DOI: 10.1109/81.536742

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-10-21

Як цитувати

Сосков, А. Г., Глєбова, М. Л., Сабалаєва, Н. О., & Форкун, Я. Б. (2014). Розрахунок теплового режиму напівпровідникових приладів в умовах роботи у складі напівпровідникових апаратів. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5(8(71), 58–65. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.27983

Номер

Розділ

Енергозберігаючі технології та обладнання