Технологічні особливості осадження полікремнію, як основи сонячного і електронного монокремнію
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2859Ключові слова:
полікремній, монокремній, PV – індустріяАнотація
В даній статті показані шляхи удосконалення технології формування полікремнію, який є основою для виробництва сонячного і електронного монокремнію.Посилання
- С. Зи Технология СБИС/. Под ред. в двух томах; [перев., с англиского под ред., Ю. Д. Чистякова.].-М: Мир, 1986. -720 с.
- Новосядлий С. П. Фізико-технологічні основи субмікронної технології великих інтегральних схем./ Степан Новосядлий; –Івано-Франківськ: Сімик, 2003, -351 с.
- Michael Rogel/CLSA. Silicon and The Solar Sector Mapping a new World// 2nd Solar Silicon Conference, April11, 2005 p 111.
- Hubort A/Aulich. Solar Grade Silicon the view from a major user// 2nd Solar Silicon Conference, April 11, 2005 –p 118.
- Karl Hesse and Ewald Schindbeck/ wacker Polysilicon. Feed-stock for the photovoltaic industry//2nd Solar Silicon Conference, April11, 2005 –p126.
- Abdulayev M. A. Kazakhstan’s project of receiving the Solar grade Silicon by carbotermic process on the small power furnaces with further fining //2nd Sola Silicon Conference, April11, 2005 –p 184.
- Jan R., Stubergh and Zhoughna Liu. Preparation of pure silicon by elektrovining a Bytownite–Cryolite Melt.// Metallurgical and Materials Tranactios B. –December 1996–r. 27BN06.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, В.В. Кропивич
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.