Особливості та методи удосконалення цифрових компараторів

Автор(и)

  • Степан Петрович Новосядлий Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.28860

Ключові слова:

операційний підсилювач, однопороговий аналоговий компаратор та гістерезисний компаратор Шмітта

Анотація

Вхідний каскад компаратора повинен витримувати широкий діапазон вхідних напруг між інвертуючим і неінвертірующім входами, аж до високої напруги живлення, і швидко відновлюватися при зміні знака цієї напруги. У операційних підсилювачах, охопленому зворотним зв'язком, ця вимога некритична, так як диференціальна вхідна напруга вимірюється мілівольтами і мікровольтами.

Біографія автора

Степан Петрович Новосядлий, Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025

Доктор технічних наук, професор

Кафедра комп'ютерної інженерії та електроніки

Посилання

  1. Koledov, J. A., Volkov, V. A., Dokuchaeva, N. K. (1992). Design and technology mіkroschem. Moscow: Higher School, 231.

    Chistyakov, Y. D. (1986). VLSI technology. Moscow: Mir, 453.

    Aynspruk, N. U. (1988). Gallium arsenide microelectronics. Moscow: Mir, 554.

    Di Lorenzo, A. V., Kandeluola, D. D. (1988). Field-effect transistors on gallium arsenide. M.: Radio and Communications, 489.

    Watanabe, N., Asada, K., Kani, K., Otsuki, T. (1988). VLSI Design. Moscow: Mir, 304.

    Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub-nanomykron technology structures LSI. Ivano-Frankivsk: City NV, 456.

    Novosyadlyy, S. P. (2003). Physical and technological bases submicron VLSI. Ivano-Frankivsk: Simyk, 52–54.

    Novosyadlyy, S. P. (2002). Radiation technology in the formation, submicron VLSI structures. Metal-physics and new technologies, 7, 1003–1013.

    Novosyadlyy, S. P. (2002). Formation of silicon epitaxial structures for the combined VLSI. Metal-physics and new technologies, 24/3, 353–365.

    Berezin, A. S., Mogalkin, A. R. (1992). Technology design IC. Moscow: Dis, 254.

    Alexeenko, A. G. (2002). Bases microcircuitry. Moscow: Lab. knowledge bases, 286.

    Pavlov, V. M., Nochin, V. M. (2001). Circuitry analog circuits. Moscow: Gor. mic appliances, 320.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-19

Як цитувати

Новосядлий, С. П. (2014). Особливості та методи удосконалення цифрових компараторів. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5(72), 34–39. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.28860

Номер

Розділ

Прикладна фізика