Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSe-InSe

Автор(и)

  • Галина Ивановна Ластивка Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Україна
  • Олег Николаевич Сидор Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины, Україна
  • Захар Дмитриевич Ковалюк Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины, Україна
  • Александр Григорьевич Хандожко Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2978

Ключові слова:

шаруваті напівпровідники, політипи, спектри ЯКР, структурні дефекти, відпал кристалів, гетерофотодіоди

Анотація

Досліджено вплив температури відпалу на спектри ЯКР шаруватих напівпровідникових сполук GaSe і InSe у складі гетерофотодіодів, виготовлених за методом «прямого оптичного контакту». Міра дефектності кристалів оцінювалася за якістю мультиплетних спектрів ЯКР ізотопів 69Ga і 115In, що відображають упорядкованість в системі політипів.

Біографії авторів

Галина Ивановна Ластивка, Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Ассистент

Олег Николаевич Сидор, Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины

Кандидат физико-математических наук, профессор, научный сотрудник

Захар Дмитриевич Ковалюк, Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины

Доктор физико-математических наук, профессор, руководитель

Александр Григорьевич Хандожко, Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Доктор физико-математических наук, профессор

Посилання

  1. Segura A., Guesdon J.P., Besson J.M., Chevy A. Photoconductivity and photovoltaic effect in indium selenide // J. Appl. Phys. – 1983. – Vol.54, No.2. – P.876-888.
  2. Кязым-заде А.Г., Агаева А.А., Салманов В.М., Мохтари А.Г. Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe //ЖТФ. – 2007. – Т.77, №12. – С.80-82.
  3. Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Литовченко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур p–n-InSe // Письма в ЖТФ. – 2007. – Т.33, №18. – С.14-22.
  4. А.с. 631014 СССР, МКИ3 Н 01L 21/46. Способ изготовления p–n и гетероперходов / Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. (СССР). – №2367947; Заявлено 02.06.1976; Опубл. 15.05.1982, Бюл. № 18.
  5. Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Курбатов Л.Н., Тагаев В.Г., Чишко В.Ф. Исследование гетеропереходов InSe–GaSe, приготовленных посадкой на оптический контакт. I. Электрические характеристики неосвещенных переходов // ФТП. – 1980. – Т.14, №6. – С.1115-1119.
  6. Blasi C., Manno D., Mongelli S. The stacking of polytypes in InSe crystals // Phys. stat. sol. (a). – 1985. – Vol.90, No.1. – K5-K6.
  7. Z.S. Basinski, D.B. Dove, and E. Mooser. Relationship between structures and dislocation in GaS and GaSe. Helv. Phys. Acta. 34 (1961) 373-378.
  8. Гречишкин В.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах.-М.: Наука, 1973. - 263 с.
  9. Bastow T.J., Cambell I.D., Whitfeld H.J. A 69Ga, 115In NQR study of polytypes of GaS, GaSe and InSe //Sol. St. Com. V. 39, 307–311 (1981).
  10. О.Г. Хандожко, Г.І. Ластівка, З.Д. Ковалюк. ЯМР і ЯКР в інтеркальованій сполуці GaSe:Li// Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. м. Одеса. Вип. 4. 2008р. - С. 41-47.
  11. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы.-М.: Высшая школа, 1989.- 288 с.
  12. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, О .С. Литвин Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)–(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 2, 180-193.
  13. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. – М.: Советское радио, 1979. – 230 с.
  14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
  15. B. Abay, H.S. Guder, H. Efeoglu, Y.K. Yogurtcu J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, 32, No 22, P. 2942. B.Gurbulak. Solid State Communication. 1999, 109, P. 665.
  16. Мозоль П.Е., Скубенко Н.А., Скубенко П.А., Гнатенко Ю.П., Сальков Е.А., Ковалюк З.Д. Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия // ФТП. – 1988. – Т.22, №9. – С.1595-1600.
  17. Ю. П. Гнатенко, Ю.І. Жирко Механізми температурного росту інтегральної інтенсивності екситонної смуги поглинання шаруватих кристалів InSe. УФЖ. –1999. Т.44, №1. – С.487-492.
  18. Бродин М.С., Блонский И.Б. Экситонные процессы в слоистых кристаллах. Киев: Наукова думка, 256 (1986).
  19. S.SHIGEToMI, T.IKARI, Y.KOGA, and S.SHIGEToMI. Annealing Behavior of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals // phys. stat. sol. (a) 86, K69-K71 (1984)
  20. Martinez-Pastor J., Segura A., Julien C., Chevy A. Investigation of shallow donor impurities in indium selenide by means of far infrered spectroscopy // Phys. Rev. B. – 1992. – Vol.46, No.8. – P.4607-4616.
  21. Martinez-Pastor J., Segura A., Chevy A. High temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in not purposely doped and tin doped indium selenide // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol.74, No.5. – P.3231-3237.
  22. Houdy P, Maurice J.L., Besson J.M., Lava J.Y., Chevy A., Gorochov. Two-dimensional defects in InSe // J. Appl. Phys. – 1987. – Vol.61, No.12. – P.5267-5271.
  23. Kuroda N., Nishina Y. Interlationship between bond ionicity and lattice instability of III-VI layer compounds // J. Phys. Soc. Jap. - 1981. - 50, № 9. - P. 2969-2977.
  24. S. Shigetomi, T. Ikari, and N. Nishmura Annealing Behavior of Layered Semiconductor p-GaSе Single Crystal phys. stat. sol. (a) 185, No. 2, 341 -348 (2001).

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-07-30

Як цитувати

Ластивка, Г. И., Сидор, О. Н., Ковалюк, З. Д., & Хандожко, А. Г. (2010). Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSe-InSe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(46), 28–34. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2978