Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSe-InSe

Автор(и)

  • Галина Ивановна Ластивка Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Україна
  • Олег Николаевич Сидор Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины, Україна
  • Захар Дмитриевич Ковалюк Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины, Україна
  • Александр Григорьевич Хандожко Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2978

Ключові слова:

шаруваті напівпровідники, політипи, спектри ЯКР, структурні дефекти, відпал кристалів, гетерофотодіоди

Анотація

Досліджено вплив температури відпалу на спектри ЯКР шаруватих напівпровідникових сполук GaSe і InSe у складі гетерофотодіодів, виготовлених за методом «прямого оптичного контакту». Міра дефектності кристалів оцінювалася за якістю мультиплетних спектрів ЯКР ізотопів 69Ga і 115In, що відображають упорядкованість в системі політипів.

Біографії авторів

Галина Ивановна Ластивка, Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Ассистент

Олег Николаевич Сидор, Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины

Кандидат физико-математических наук, профессор, научный сотрудник

Захар Дмитриевич Ковалюк, Черновицкое отделение Института проблем материалознавства им. И.М. Францевича НАН Украины

Доктор физико-математических наук, профессор, руководитель

Александр Григорьевич Хандожко, Кафедра радиотехники и информационной безопасности Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Доктор физико-математических наук, профессор

Посилання

  1. Segura A., Guesdon J.P., Besson J.M., Chevy A. Photoconductivity and photovoltaic effect in indium selenide // J. Appl. Phys. – 1983. – Vol.54, No.2. – P.876-888.
  2. Кязым-заде А.Г., Агаева А.А., Салманов В.М., Мохтари А.Г. Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллов GaSe и InSe //ЖТФ. – 2007. – Т.77, №12. – С.80-82.
  3. Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Литовченко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур p–n-InSe // Письма в ЖТФ. – 2007. – Т.33, №18. – С.14-22.
  4. А.с. 631014 СССР, МКИ3 Н 01L 21/46. Способ изготовления p–n и гетероперходов / Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. (СССР). – №2367947; Заявлено 02.06.1976; Опубл. 15.05.1982, Бюл. № 18.
  5. Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Курбатов Л.Н., Тагаев В.Г., Чишко В.Ф. Исследование гетеропереходов InSe–GaSe, приготовленных посадкой на оптический контакт. I. Электрические характеристики неосвещенных переходов // ФТП. – 1980. – Т.14, №6. – С.1115-1119.
  6. Blasi C., Manno D., Mongelli S. The stacking of polytypes in InSe crystals // Phys. stat. sol. (a). – 1985. – Vol.90, No.1. – K5-K6.
  7. Z.S. Basinski, D.B. Dove, and E. Mooser. Relationship between structures and dislocation in GaS and GaSe. Helv. Phys. Acta. 34 (1961) 373-378.
  8. Гречишкин В.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах.-М.: Наука, 1973. - 263 с.
  9. Bastow T.J., Cambell I.D., Whitfeld H.J. A 69Ga, 115In NQR study of polytypes of GaS, GaSe and InSe //Sol. St. Com. V. 39, 307–311 (1981).
  10. О.Г. Хандожко, Г.І. Ластівка, З.Д. Ковалюк. ЯМР і ЯКР в інтеркальованій сполуці GaSe:Li// Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. м. Одеса. Вип. 4. 2008р. - С. 41-47.
  11. Вилков Л.В., Пентин Ю.А. Физические методы исследования в химии. Резонансные и электрооптические методы.-М.: Высшая школа, 1989.- 288 с.
  12. А.П. Бахтинов, В.Н. Водопьянов, З.Д. Ковалюк, В.В. Нетяга, О .С. Литвин Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл)–(слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 2, 180-193.
  13. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. – М.: Советское радио, 1979. – 230 с.
  14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
  15. B. Abay, H.S. Guder, H. Efeoglu, Y.K. Yogurtcu J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, 32, No 22, P. 2942. B.Gurbulak. Solid State Communication. 1999, 109, P. 665.
  16. Мозоль П.Е., Скубенко Н.А., Скубенко П.А., Гнатенко Ю.П., Сальков Е.А., Ковалюк З.Д. Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия // ФТП. – 1988. – Т.22, №9. – С.1595-1600.
  17. Ю. П. Гнатенко, Ю.І. Жирко Механізми температурного росту інтегральної інтенсивності екситонної смуги поглинання шаруватих кристалів InSe. УФЖ. –1999. Т.44, №1. – С.487-492.
  18. Бродин М.С., Блонский И.Б. Экситонные процессы в слоистых кристаллах. Киев: Наукова думка, 256 (1986).
  19. S.SHIGEToMI, T.IKARI, Y.KOGA, and S.SHIGEToMI. Annealing Behavior of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals // phys. stat. sol. (a) 86, K69-K71 (1984)
  20. Martinez-Pastor J., Segura A., Julien C., Chevy A. Investigation of shallow donor impurities in indium selenide by means of far infrered spectroscopy // Phys. Rev. B. – 1992. – Vol.46, No.8. – P.4607-4616.
  21. Martinez-Pastor J., Segura A., Chevy A. High temperature behavior of impurities and dimensionality of the charge transport in not purposely doped and tin doped indium selenide // J. Appl. Phys. – 1993. – Vol.74, No.5. – P.3231-3237.
  22. Houdy P, Maurice J.L., Besson J.M., Lava J.Y., Chevy A., Gorochov. Two-dimensional defects in InSe // J. Appl. Phys. – 1987. – Vol.61, No.12. – P.5267-5271.
  23. Kuroda N., Nishina Y. Interlationship between bond ionicity and lattice instability of III-VI layer compounds // J. Phys. Soc. Jap. - 1981. - 50, № 9. - P. 2969-2977.
  24. S. Shigetomi, T. Ikari, and N. Nishmura Annealing Behavior of Layered Semiconductor p-GaSе Single Crystal phys. stat. sol. (a) 185, No. 2, 341 -348 (2001).

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-07-30

Як цитувати

Ластивка, Г. И., Сидор, О. Н., Ковалюк, З. Д., & Хандожко, А. Г. (2010). Влияние низкотемпературного отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов на основе GaSe-InSe. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(46), 28–34. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2978

Номер

Том 4 № 5(46) (2010): Технології органічних і неорганічних речовин та екологія. Прикладна фізика та матеріалознавство

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Галина Ивановна Ластивка, Олег Николаевич Сидор, Захар Дмитриевич Ковалюк, Александр Григорьевич Хандожко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.