Особливості технології кремній- та арсенід галію на ізоляторі
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.31582Ключові слова:
метод DeleCut, метод SmartCut, К-МОН, багатозарядна імплантація, оксинітрид, азотна сушкаАнотація
В даній статті розглянуті фізичні основи способів створення структур кремній на ізоляторі (КНІ) та арсенідгалію на ізоляторі (АГНІ) різними методами. Основна увага надана методу «DeleCut» (ion irradiated Deleted oxide Out). Останній по суті справи є модифікацією відомого методу «SmartCut» і призначений для усунення недоліку базового методу.
Посилання
- Koledov, J. A., Volkov, V. A., Dokuchaeva, N. K. (1992). Design and technology mіkroschem. Moscow: Higher School, 231.
- Chistyakov, Y. D. (1986). VLSI technology. Moscow: Mir, 453.
- Aynspruk, N. U. (1988). Gallium arsenide microelectronics. Moscow: Mir, 554.
- Di Lorenzo, A. V., Kandeluola, D. D. (1988). Field-effect transistors on gallium arsenide. Moscow: Radio and Communications, 489.
- Watanabe, N., Asada, K., Kani, K., Otsuki, T. (1988). VLSI Design. Moscow: Mir, 304.
- Novosyadlyy, S. P. (2010). Sub-nanomykron technology structures LSI. Ivano-Frankivsk: City NV, 456.
- Novosyadlyy, S. P. (2003). Physical and technological bases submicron VLSI. Ivano-Frankivsk: Simyk, 52–54.
- Novosyadlyy, S. P. (2002). Radiation technology in the formation, submicron VLSI structures. Metal-physics and new technologies, 7, 1003–1013.
- Novosyadlyy, S. P. (2002). Formation of silicon epitaxial structures for the combined VLSI. Metal-physics and new technologies, 24/3, 353–365.
- Berezin, A. S., Mogalkin, A. R. (1992). Technology design IC. Moscow: Dis, 254.
- Alexeenko, A. G. (2002). Bases microcircuitry. Moscow: Lab. knowledge bases, 286.
- Pavlov, V. M., Nochin, V. M. (2001). Circuitry analog circuits. Moscow: Gor. mic appliances, 320.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Степан Петрович Новосядлий, Любомир Васильович Мельник
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
