Розробка інтерференційно-абсорбційних світлофільтрів на базових кристалах In4(Se3)1-х Te3х ТА CdSb
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.31731Ключові слова:
інтерференційний фільтр, інфрачервона область, спектральне пропускання, кристал In4Se3, CdSbАнотація
Створені інтерференційно-абсорбційні світлофільтри на базі кристалів In4(Se3)1-xTe3x та CdSb для функціонування у близькій і середній ІЧ-області. Досліджені оптичні властивості та дефекти кристалів-підкладок, їхній вплив на характеристики світлофільтра. Розроблені плівкові інтерференційні системи для різних конструкцій і робочих діапазонів. Виміряні спектральні характеристики, вивчені умови забезпечення механічної стійкості та відтворюваності параметрів світлофільтрів.
Посилання
- Thelen, A. (1989). Design of Optical Interference Coatings. New York: McGraw-Hill , 255.
- Beliaeva, А. I., Sirenko, V. А. (1991). Cryogenic multilayer coatings. Кiev: Naukova dumka, 276.
- Xingfu, L., Bin, X., Gongqi, Y., Xue, L., Lin, Y. (2013). Anisotropic optical and thermoelectric properties of In4Se3 and In4Te3. Journal of applied physics, 113 (20), 203502. doi: 10.1063/1.4807312
- Losovyj, Ya. B., Makinistian, L., Albanesi, E. A., Petukhov, A. G., Liu, Jing, Galiy, P., Dveriy, O. R., Dowben, P. A. (2008). The anisotropic band structure of layered In4Se3 (001). Journal of applied physics, 104 (8), 083713-1-083713-7. doi: 10.1063/1.3000453
- Lazarev, V. B., Shevchenko, V. Ya., Grinberg Ya. H., Sobolev, V. V. (1978). Compound semiconductor of AIIBV group. Мoscow:Nauka, 256.
- Gritsyuk, B. M., Moschkova, Т. S., Ogorodnik, А. D., Rarenko, I. М., Volyanska, Т. А. (1999). In4(Se3)1-хTe3х solid solution – a material for optical absorption filters. Journal of Applied Spectroscopy, 66 (4), 577–579.
- Dremluzhenko, S. G., Konopaltseva, L. I., Kulikovskaya, S. M., Stetsko, Yu. P., Strebezhev, V. N., Rarenko, A. I., Ostapov, S. E. (1999). Interference IR-filters on the CdSb monocrystal substrates. Proc.of SPIE, 3890, 104–110.
- Makinistian, L., Albanesi, E. A., Gonzalez Lemus, N. V., Petukhov, A. G., Schmidt, D., Schubert, E., Losovyj, Ya. B., Galiy, P., Dowben, P. A. (2010). Ab initio calculations and ellipsometry measurements of the optical properties of the layered semiconductor In4Se3. Physical Review B, 81 (7), 075217-1. doi: 10.1103/physrevb.81.075217
- Benramdane, N., Misho, R. H. (1995). Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation. Solar Energy Materials and Solar Cells, 37 (3-4), 367–377. doi: 10.1016/0927-0248(95)00031-3
- Melnychuk, T. A., Strebegev, V. N., Vorobets, G. I. (2007). Laser synthesis of thin films and layers of In4Se3, In4Te3 and modification of their structure. Applied Surface Science, 254 (4), 1002–1005. doi: 10.1016/j.apsusc.2007.09.054
- Gertovich, Т. S., Grineva, S. I., Ogorodnik, А. D., Stolyarchuk, О. Т., Tovstyuk, К. D., Scharlay, Е. S. (1985). Electrical and optical properties of In4(Se3)1-хTe3х (0,60<x<1,00) solid solutions. Ukrainian Journal of Physics, 30, 624–628.
- Moschkova, Т. S., Melnychuk, Т. А., Ogorodnik, А. D., Strebegev, В. N. (2005). Effect of doping on optical and photovoltaic properties of In4(Se3)1-xTe3x single crystals. Ukrainian Journal of Physics, 50 (12), 1254–1258.
- Balytskyi, А. А. (2006). Surface topology of In4Se3 layered crystals. Technology and design in electronic equipmen, 62 (2), 63–64.
- Obedzynskyi, Yu. K., Strebegev, V. N., Gritsyuk, B. N., Strebegev, V. V., Yuriychuk, I. М. (2012). Photosensitive heterostructures and infrared filters on CdSb and In4Se3 single crystals. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 6/12(60), 44–46. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/6029/5408
- Strebegev, V. V., Strebegev, V. M, Nichyi, S. V., Yuriychuk, I. M. (2013). Properties of optical and photovoltaic cells on the base of In4Se3, In4(Se3)1-х(Te3)х crystals. Eastern-European Journal Of Enterprise Technologies, 6/12(66), 113–116. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19736/17584
- Garamus, V. M., Pilat, V. M., Savchyn, V. P., Islamov, A. H. (1998). Investigation of the structure of defects in In4Se3 crystals by small angle neutron scattering method. Solid State Physics, 40 (2), 248–250.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Володимир Вікторович Стребежев, Сергій Васильович Нічий, Іван Миколайович Юрійчук, Віктор Миколайович Стребежев
![Creative Commons License](http://i.creativecommons.org/l/by/4.0/88x31.png)
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.