Дослідження поверхні пористого кремнію мас-спектроскопією вторинних іонів
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.33550Ключові слова:
пористий кремній, електрохімічна гідрогенізація, мультикристалічна підкладка, мас-спектрометрія, фотоелектричний перетворювачАнотація
Методами мас-спектрометрії вивчалися кремнієві поверхні мультикристалічних підкладок для фотоелектричних перетворювачів, одразу після формування пористого кремнію і наступної гідрогенізації. Були отримані мас-спектроскопічні характеристики кремнієвих поверхонь і їх 2D-іонні зображення, отримані на мас-спектрометрі TOF5 SIMS з допомогою струму вторинних іонів СН3+. Наведено результати дослідження поверхні кремнію до і після електрохімічного травлення по створенню шару пористого кремнію.
Посилання
- Bilyalov, R. R., Lüdemann, R., Wettling, W., Stalmans, L., Poortmans, J., Nijs, J. et. al. (2000). Multicrystalline silicon solar cells with porous silicon emitter. Solar Energy Materials and Solar Cells, 60 (4), 391–420. doi: 10.1016/s0927-0248(99)00102-6
- Huang, Y. M., Ma, Q.-L., Meng, M. (2011). Porous silicon based solar cells, Materials Science Forum, 663-665, 836–839. doi: 10.4028/www.scientific.net/msf.663-665.836
- Jinsu, Y., Gwonjong, Y., Junsin, Y. (2009). Black surface structures for crystalline silicon solar cells. Materials Science and Engineering, B, 159-160, 333–337. doi: 10.1016/j.mseb.2008.10.019
- Fang, W., Changshui, C., Huili, H. (2011). Analysis of sunlight loss for femtosecond laser microstructed silicon and its solar cell efficiency, Applied Physics A, 103 (4), 977–982. doi: 10.1007/s00339-010-6095-0
- Foil, Н., Christophersen, М., Carstensen, J.,. Hasse, G. (2002). Formation and application of porous silicon, Materials Science and Engineering R, 39, 93–141.
- Yerokhov, V. Yu., Melnyk, I. I., Gasko, L. Z., Iznin, O. I. (1998). Porous silicon hydrogenizing for solar cells”, In Proc. of First World Conference "Porous Semiconductors: Science and Technology”. Mallorca, Spain, 169.
- Yerokhov, V. Yu, Melnyk, I. I., Bogdanovsky, N., Iznin, O. I. (1998). Hydrogenated porous silicon in solar cells structure, In Proc. of 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria, 1256–1259.
- Bertoni, M. I., Udelson, S., Newman, B. K., Bernardis, S. et. al. (2010). Impact of defect type on hydrogen passivation effectiveness in multicrystalline silicon solar cells, In Proc. of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 345. doi: 10.1109/pvsc.2010.5616904
- Druzhynin, A. O., Jerohov, V. Ju., Berchenko, N. N. (2014). Study of surface multicrystalline substrates silicon saturated aqueous by mass spectroscopy. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1/5(67), 34–37. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/21053/18887
- Salman, K. A., Omar, K., Hassan, Z. (2011). The effect of etching time of porous silicon on solar cell performance. Superlattices and Microstructures, 50(6), 647–658. doi: 10.1016/j.spmi.2011.09.006
- Banerjee, S., Narasimhan, K. L., Sardesai, A. (1994). Role of Hydrogen- and oxygen-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon, Physical Review B, 49 (4), 2915–2918. doi: 10.1103/physrevb.49.2915
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Валерій Юрійович Єрохов, Микола Миколайович Берченко, Степан Ігорович Нічкало, Євген Іванович Бережанський
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
