Вплив технологічних умов отримання кристалів СdTe:V на їх рівноважні характеристики

Автор(и)

  • Орест Архипович Парфенюк Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна https://orcid.org/0000-0002-9878-1022
  • Андрій Онуфрійович Курик Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України Проспект Науки, 41, м. Київ, Україна, 03028, Україна https://orcid.org/0000-0002-5603-0538
  • Марія Іванівна Ілащук Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна https://orcid.org/0000-0002-7618-0437
  • Наталія Миколаївна Гавалешко Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна https://orcid.org/0000-0003-1873-7062
  • Сергій Миколайович Чупира Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна https://orcid.org/0000-0002-9759-1673

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.33649

Ключові слова:

CdTe, домішка, компенсація, дефект, термостабільність, стехіометрія, електропровідність, рівновага, рухливість, напівізолюючий

Анотація

Досліджено рівноважні характеристики монокристалічного CdTe:V, вирощеного методом Бріджмена, при двох концентраціях домішки у розплаві (5·1018 і 1·1019)см-3 та різних режимах охолодження злитків. Весь вирощений матеріал був напівізолюючий n-типу провідності (ρ300К @ 2·109-1·1010)Ом∙см. Установлена залежність властивостей кристалів (величина холлівської рухливості носіїв, термостабільність) від швидкості охолодження матеріалу після вирощування.

Біографії авторів

Орест Архипович Парфенюк, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор

Кафедра електроніки і енергетики

Андрій Онуфрійович Курик, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України Проспект Науки, 41, м. Київ, Україна, 03028

Молодший науковий співробітник

Відділ напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання

Марія Іванівна Ілащук, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, асистент

Кафедра електроніки і енергетики

Наталія Миколаївна Гавалешко, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра електроніки і енергетики

Сергій Миколайович Чупира, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра електроніки і енергетики

Посилання

  1. Marfaing, Y. (1999). State of the art and prospects of photorefractive CdTe. Journal of Crystal Growth, 197 (3), 707–717. doi: 10.1016/s0022-0248(98)00767-2
  2. Höschl, P., Polivka, P., Prosser, V., Sakalas, S. (1975). A. Preparation of cadmium telluride single crystals for nuclear detectors. Czechoslovak Journal of Physics, 25 (5), 585–596. doi: 10.1007/bf01589432
  3. Koushik, B., Mao-Hua, D. (2012). What causes high resistivity in CdTe. New Journal of Physics, 14 (6), 063020. doi: 10.1088/1367-2630/14/6/063020
  4. Moravec, P., Hage-Ali, M., Chibani, L., Siffert, P. (1993). Deep levels in semi-insulating CdTe. Materials Science and Engineering: B, B16 (1-3), 223–227. doi: 10.1016/0921-5107(93)90049-s
  5. Fiederle, M., Eiche, C., Salk, M., Schwarz, R., Benc, K. W., Stadler, W., Hofmann, D. M., Meyer, B. K. (1998). Modified compensation model of CdTe // Journal of Applied Physics, 84 (12), 6689–6692. doi: 10.1063/1.368874
  6. Kireev, P. S. (1968). Physics of Semiconductors. Мoscow: Vysshaia shkola, 590.
  7. Savitsky, A. V., Parfenyuk, O. A., Ilashchuk, M. I., Fochouk, P. M., Korbutyak, N. D. (2000). Relaxation processes in CdTe(Cl) crystals. Semicond. Sci. Technol., 15, 263–266.
  8. Arkadieva, Е. N., Matveev, O. A. (1976). The electrical properties of semi-insulating CdTe crystals doped with chlorine. FTP, 10 (11), 2153–2156.
  9. Matlak, V. V., Ilashchuk, M. I., Parfenyuk, O. A., Savitskiy, A. V. (1977). The electrical conductivity of semi-insulating CdTe, FTP, 11 (12), 2287–2291.
  10. Devlin, S. S.; Medvediev, S. А. (Ed.) (1970). Transport properties. Physics and chemistry of compounds АІІВIV. Мoscow: Мir, 418 624.
  11. Parfenyuk, О. А., Ilashchuk, M. I., Uluanitsky, K. S., Nikolaievich, I. V. (2006). Equilibrium properties of semi-insulating crystals CdTe:V. FIZ. І CHIM. TV. TILA, 7 (2), 540–545.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-12-23

Як цитувати

Парфенюк, О. А., Курик, А. О., Ілащук, М. І., Гавалешко, Н. М., & Чупира, С. М. (2014). Вплив технологічних умов отримання кристалів СdTe:V на їх рівноважні характеристики. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(9(72), 32–36. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2014.33649

Номер

Том 6 № 9(72) (2014): Інформаційно-керуючі системи

Розділ

Інформаційно-керуючі системи

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Орест Архипович Парфенюк, Андрій Онуфрійович Курик, Марія Іванівна Ілащук, Наталія Миколаївна Гавалешко, Сергій Миколайович Чупира

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.