Текстурування поверхні полікристалічних та мультикристалічних кремнієвих матеріалів

Автор(и)

  • Юрій Васильович Попадинець ООО «ПіВі» вул. Алексія, 10, г. Свалява, Україна, 89300, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3426

Ключові слова:

Мультикристалічний кремній, світловідбиття, текстурування поверхні

Анотація

Визначено загальні закономірності перебігання процесів взаємодії поверхні мультикристалічного кремнію з текстуруючими кислотними розчинами. На їх основі встановлено оптимальні режими обробки та відповідні склади систем

Біографія автора

Юрій Васильович Попадинець, ООО «ПіВі» вул. Алексія, 10, г. Свалява, Україна, 89300

Технічний директор

Посилання

  1. J.D. Hylton Alkaline etching for reflectance reduction in multycrystalline silicon solar cells /J.D. Hylton, A.R. Burgers, W.C. Sinke// Journal of electrochemical society. – 2004. – vol. 151. – P. 408 – 427.
  2. L.A. Dobrzanski Surface texturing of multycrystalline silicon solar cells / L.A. Dobrzanski, A. Drygala // Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering. – 2008. – vol. 31, Is. 2. – P. 77 – 82.
  3. J. Kim Surface reflectance reduction of multicrystalline silicon wafers for solar cells by acid texturing / J.Kim, B. Kim, S. Lee // Journal of the Korean institute of electrical and electronic materials engineers. – 2008. – vol. 21, No 2. – P. 99 – 103.
  4. M. Banchman Isotropic silicon etch using HNA / M. Banchman // INRF application note. – 2000. – 4 p.
  5. S.W. Park Application of acid texturing to multi-crystalline silicon wafers / S.W. Park, J. Kim, S.H. Lee // J. Kor. Phys. Soc. – 2002. – vol. 30, No. 1. – P. 423 – 426.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-02-01

Як цитувати

Попадинець, Ю. В. (2012). Текстурування поверхні полікристалічних та мультикристалічних кремнієвих матеріалів. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(8(55), 32–35. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3426

Номер

Том 1 № 8(55) (2012): Енергозберігаючі технології та обладнання

Розділ

Енергозберігаючі технології та обладнання

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Юрій Васильович Попадинець

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.