Формування текстур фронтальної поверхні сонячного елемента технологією пористого кремнію
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.36754Ключові слова:
пористий кремній, текстура, електрохімічне травлення, сонячний елемент, фотоелектричний перетворювачАнотація
Показана перспективність формування текстур електрохімічними технологіями пористого кремнію (ПК) для отримання фронтальних функціональних шарів сонячних елементів (СЕ). Створена схематична модель різних видів пористого кремнію для текстур в залежності від форми струму. Використання коралоподібних, колоноподібних та краплеподібних текстур на основі пористого кремнію, як ефективного та рентабельного покриття, повинно бути максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих сонячних елементів.
Посилання
- Saadoun, M., Fethi Boujmil, M., Aouida, S., Ben Rabha, M., Bessaïs, B. (2011). Porous silicon-based microtexturing of textured monocrystalline silicon solar cells. Physica Status Solidi (C), 8 (6), 1869–1873. doi: 10.1002/pssc.201000090
- Yerokhov, V. Yu., Melnyk, I. I. Porous silicon in solar cell structures: A review of achievements and modern directions of further use (1999). Renewable and Sustainable Energy Reviews, 3 (4). 291–322. doi: 10.1016/s1364-0321(99)00005-2
- Ou, W., Zhao, L., Diao, H., Zhang, J. (2011). Optical and electrical properties of porous silicon layer formed on the textured surface by electrochemical etching. Journal of Semiconductors, 32 (5). 056002. doi: 10.1088/1674-4926/32/5/056002
- Huang, Y. M., Ma, Q.-L., Meng, M. (2011). Porous silicon based solar cells. Materials Science Forum, 663-665, 836–839. doi: 10.4028/www.scientific.net/msf.663-665.836
- Zhang, X. G., (2001). Electrochemistry of Silicon and Its Oxides. Kluwer Academic, Horwell, MA, 537.
- Salman, K. A., Omar, K., Hassan, Z. (2011). The effect of etching time of porous silicon on solar cell performance Superlattices and Microstructures, 50 (6), 647–658. doi: 10.1016/j.spmi.2011.09.006
- Jerohov, V. Ju., Selemonavichus, A. A. (2008). Patent № 36642. Ukrai'na, MKV H 01 L 31/05. Sposib oderzhannja poverhnevoi' mul'tytekstury. NU “L'vivs'ka politehnika”. Zajavka № a 2007 13213 vid 27.11.2007. Rishennja na vydachu patentu Ukrai'ny na vynahid vid 10.11.2008. Bjul. № 21.
- Foil, Н., Christophersen, М., Carstensen, J., Hasse, G. (2002). Formation and application of porous silicon. Materials Science and Engineering R, 39, 93–141.
- Yerokhov, V., Hezel, R., Nagel, H., Melnyk, I., SemochkoI.(2000). Development of profitable Methods of Texturing for Silicon Solar Cells. 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition.Glasgow,UK. VA2-15.
- Jerohov, V. Ju., Druzhynin, A. O. (2010). Patent № 92962, Ukrai'na, MKV H 01 L 31/05. Sposib oderzhannja poverhnevoi' funkcional'noi' nanotekstury. Nacional'nyj Universytet “L'vivs'ka politehnika”, Rishennja na vydachu patentu Ukrai'ny na vynahid vid 27.12.2010. Bjul. № 24.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Анатолій Олександрович Дружинін, Валерій Юрійович Єрохов, Ольга Валерієвна Єрохова
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
