Технологія нанесення нікелевої лицевої металізації ФЕП з низькотемпературніх електролітів нікелювання
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.3723Ключові слова:
Фотоелектричні перетворювачі, нікелева металізація, низькотемпературні електролітиАнотація
У статті описана методика нанесення малюнка нікелевій металізації на поверхню кремнієвих ФЭП з використанням електролитів різного складу. Запропоновано низькотемпературний електроліт, використання якого дозволяє отримувати нікелеву металізацію високої якостіПосилання
- Glunz W., Comparison of different dielectric passivation layers for application in industrially feasible high-efficiency crystalline silicon solar cells / W. Glunz, A. Grohe, M. Hermle et al. // 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference 2005. Proceedings: Barcelona, 6-10 June 2005. München / WIP-Renewable Energies, 2005, pp. 572-577.
- Gautero L., Characterisation of Aluminium screen-printed local contacts / L. Gautero, F.S. Grasso, J. Rentsch, R. Lanzafame // Proceedings of the 2nd Workshop on Metallization for Crystalline Silicon Solar Cells, Konstanz, 2010. p. 15 - 21,
- Hofmann M., PECVD-ONO: A New Deposited Firing Stable Rear Surface Passivation Layer System for Crystalline Silicon Solar Cells / M. Hofmann, S. Kambor, C. Schmidt et al. // Advances in OptoElectronics. – 2008. – Vol. 18. – P.10.
- Schaper M., 20.1 %-efficient crystalline silicon solar cell with amorphous silicon rear-surface passivation / M. Schaper, J. Schmidt, H. Plagwitz, R. Brendel // Progress in Photovoltaics Research and Applications. – 2005. – Vol. 13. – P. 381 – 386.
- Coleman M.G., Nickel silicide contact for silicon solar cells /M.G. Coleman, W.L. Bailey, R.A. Pryor // Photovoltaic Specialists Conference, 13th, Washington, D.C., June 5-8, 1978 / Conference Record. (A79-40881 17-44) New York, Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., 1978, p. 597-602
- Knorz A., Selective laser ablation of SiNx layers on textured surfaces for low temperature front side metallizations / A. Knorz, M. Peters, A. Grohe et al. // Progress in Photovoltaics: Research and Applications, Volume 17, Issue 2, pages 127–136, 2009.
- D. Kray, Industrial LCP selective emitter solar cells with plated contacts / D. Kray, N. Bay, G. Cimiotti et al. // 33-th IEEE Photovoltaics Specialists Conference, San Diego (2008) / RENA GmbH, Gütenbach, Germany, pp. 667 – 671.
- Baehr M., A new approach for the front side metallization of industrial type silicon solar cells using a structurization by etching / M Bähr, S Kim, S Sridharan. // Presented at the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, September 3-9, 2007, Milan, Italy.
- Fallisch A., Inkjet Structured EWT Silicon Solar Cells with Evaporated Aluminum Metallization and Laser-Fired Contacts for solar cell production / A. Fallisch, D. Stüwe, R. Neubauer etal. // Presented at the 35th IEEE PVSC, June 25, 2010, Honolulu, Hawaii, USA.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Юрий Васильевич Попадинец, Дмитрий Александрович Сидоров
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
