Модифікування властивостей пористого кремнію для сонячних елементів методом гідрогенізації
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.40067Ключові слова:
сонячний елемент, пористий кремній, фотолюмінісценція, електрохімічна гідрогенізація, мас-спектриАнотація
Показана технологія модифікування шарів пористого кремнію методом електрохімічної гідрогенізації з наступним використанням в фронтальному покритті кремнієвого сонячного елемента. Дослідження властивостей фронтальної поверхні структури сонячного елемента проводилося з допомогою вивчення спектрів фотолюмінісценції, а також мас-спектрів вторинних іонів (SIMS) гідрогенізованих шарів пористого кремнію. Функціональні шари пористого кремнію без-, і з гідрогенізованим пористим кремнієм використані для фронтальної поверхні сонячного елемента.
Посилання
- Huang, Y. M., Ma, Q.-L., Meng, M. (2011). Porous silicon based solar cells, Materials Science Forum, 663-665, 836–839. doi: 10.4028/www.scientific.net/msf.663-665.836
- Weber, K. J., Blakers, A. W., Stocks, M. J., Thompson, A. (2003). Silicon liquid phase epitaxy for epilift solar cells, Photovoltaic Energy Conversion, 2003. Proceedings of 3rd World Conference, 2, 1265–1267.
- Bilyalov, R. R., Lüdemann, R., Wettling, W., Stalmans, L., Poortmans, J., Nijs, J. et. al. (2000). Multicrystalline silicon solar cells with porous silicon emitter. Solar Energy Materials and Solar Cells, 60 (4), 391–420. doi: 10.1016/s0927-0248(99)00102-6
- Fang, W., Changshui, C., Huili, H. (2011). Analysis of sunlight loss for femtosecond laser microstructed silicon and its solar cell efficiency, Applied Physics A, 103 (4), 977–982. doi: 10.1007/s00339-010-6095-0
- Svavarsson, H. G., Danielsson, D. M., Gudmundsson, J. T. (2008). Thin film silicon for solar cell application grown from liquid phase on metallurgical grade silicon. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Valencia, Spain, 2221.
- Muller, M., Kopecek, R., Fath, P., Zahedi, C., Peter, K. (2003). Silicon LPE on substrates from metallurgical silicon feedstock for large scale production, Photovoltaic Energy Conversion, 2003. Proceedings of 3rd World Conference, 2, 1221–1224.
- Jinsu, Y., Gwonjong, Y., Junsin, Y. (2009). Black surface structures for crystalline silicon solar cells. Materials Science and Engineering, B, 159-160, 333–337. doi: 10.1016/j.mseb.2008.10.019
- Foil, Н., Christophersen, М., Carstensen, J.,. Hasse, G. (2002). Formation and application of porous silicon, Materials Science and Engineering R, 39, 93–141.
- Salman, K. A., Omar, K., Hassan, Z. (2011). The effect of etching time of porous silicon on solar cell performance. Superlattices and Microstructures, 50 (6), 647–658. doi: 10.1016/j.spmi.2011.09.006
- Yerokhov, V. Yu., Melnyk, I. I., Gasko, L. Z., Iznin, O. I. (1998). Porous silicon hydrogenizing for solar cells, In Proc. of First World Conference "Porous Semiconductors: Science and Technology”, Mallorca, Spain, 169.
- Honda, S., Mates, T., Ledinsky, M. (2005). Effect of hydrogen passivation on polycrystalline silicon thin films. Thin solid films, 487 (1-2), 152–156. doi: 10.1016/j.tsf.2005.01.056
- Yerokhov, V. Yu, Melnyk, I. I., Bogdanovsky, N., Iznin, O. I. (1998). Hydrogenated porous silicon in solar cells structure, In Proc. of 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria, 1256–1259.
- Bertoni, M. I., Udelson, S., Newman, B. K., Bernardis, S. et. al. (2010). Impact of defect type on hydrogen passivation effectiveness in multicrystalline silicon solar cells, In Proc. of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 345. doi: 10.1109/pvsc.2010.5616904
- Lavine, J. M., Sawan, P. S., Shieh, T. Y., Bellezza, A. J. (1993). Role of Si-H and Si-H2 in photoluminescence of porous Si. Applied Physics Letters, 62 (10), 1099–1101. doi: 10.1063/1.108754
- Banerjee, S., Narasimhan, K. L., Sardesai, A. (1994). Role of Hydrogen- and oxygen-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon. Physical Review B, 49 (4), 2915–2918. doi: 10.1103/physrevb.49.2915
- Druzhynin, A. O., Yerokhov, V. Ju., Berchenko, N. N. (2014). Study of surface multicrystalline substrates silicon saturated aqueous by mass spectroscopy. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1/5(67), 34–37. doi: 10.15587/1729-4061.2014.21053
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Анатолій Олександрович Дружинін, Валерій Юрійович Єрохов, Ольга Валерієвна Єрохова
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
