Математична модель, методика та комп’ютерне забезпечення процесу вирощування напівпровідникiв методом бріджмена
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.40787Ключові слова:
напівпровідники, CdTe, метод Бріджмена, моделювання технологічного процесу, самоадаптивні комп’ютерні засобиАнотація
За результатами експериментальних досліджень особливостей процесу кристалізації напівпровідникових кристалів та сполук на їх основі обґрунтовано фізичну модель процесу та запропоновано методику реєстрації початкового моменту фазового перетворення розплаву у кристал. Розроблено методику синтезу та структурне й алгоритмічне рішення вбудованих в технологічну систему інтелектуальних само адаптивних комп’ютерних засобів для удосконалення процесу управління печами для вирощування кристалів CdTe методом Бріджмена.
Посилання
- Lachish, U. CdTe and CdZnTe Crystal Growth and Production of Gamma Radiation Detectors. Available at: http://urila.tripod.com/crystal.htm
- Shlyakhov, I. N. (2012). Application of detectors based on semiconductor compounds CdTe and CdZnTe for analysis sources of g-radiation. Kharkiv National University of Radio Electronics, 20.
- New Economic PID controller OWEN TRM500. Available at: http://www.svaltera.ua/press-center/news/8798.php
- Pekurovskyy, G. V., Barabash, A. V. (2012). Setting PID controller with adaptive synthesis of automatic control active vibration compensation. Weapons systems and military equipment, 4 (32), 139–142.
- Petrenko, V. R. (2009). Automation of managment by the technological processes to produce bulk Cz-Si single crystals. National Technical University of Ukraine "Kyiv Polytechnic Institute, 39.
- Moskalenko, V. V. (2014). The intelligent system of support decision for automation of growing of scintillation monocrystals from the melt. Kharkiv, 16.
- Bolchini, C., Carminati, M., Miele, A., Quintarelli, E. (2013). A Framework to Model Self-Adaptive Computing Systems. Proc. NASA/ESA Conference on Adaptive Hardware and Systems, 71–78. doi: 10.1109/ahs.2013.6604228
- Cámara, J., de Lemos, R., Ghezzi, C., Lopes, A. (2013). Assurances for Self-Adaptive Systems: Principles, Models, and Techniques. Verlag, Berlin, Heidelberg, 7740, 340.
- Rajkumar, R., Insup, L., Lui, S., Stankovic, J. (2010). Cyber-Physical Systems: The Next Computing Revolution. Design Automation Conference (DAC), 2010 47th ACM/IEEE, Anaheim, USA, 731–736.
- Bell, R. O., Toulemonde, M., Siffert, P. (1979). Calculated Temperature Distribution During Laser Annealing in Silicon and Cadmium Telluride. Applied Physics, 19 (3), 313–319. doi: 10.1007/bf00900475
- Zhvavy, S. P., Zykov, G. L. (2006). Numerical modeling of dynamics of phase transitions in CdTe, initiated by nanosecond excimer laser radiation. Semiconductor Physics and Technology, 40 (6), 652–655.
- Zanio, K. (1978). Semiconductors and Semimetals. Vol. 13. Cadmium Telluride. N. Y.: Academic Press. doi: 10.1016/s0080-8784(08)60064-2
- Rogov, R. V., Vorobets, G. I., Vorobets, A. I. (2012). Structural and logical organization of the server software to manage technological networks. Electrical and computer systems, 05 (81), 205–208.
- Mazurenko, M. I., Kharchenko, V. S., Gorbenko, A. V. (2014). WEB- system dynamical reconfiguration based on metric analysis of vulnerability databases OTS-components. Radioelectronic and computer systems, 5 (69), 135–139.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Георгій Іванович Воробець, Роман Вікторович Рогов, Олег Вадимович Копач
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
