Особливості дефектно-домішкового складу алмазів, отриманих в системі магній–вуглець

Автор(и)

  • Татьяна Викторовна Коваленко Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074, Україна https://orcid.org/0000-0003-4878-5161
  • Сергей Алексеевич Ивахненко Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074, Україна https://orcid.org/0000-0001-9243-9982
  • Александр Михайлович Куцай Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074, Україна https://orcid.org/0000-0002-4210-4946

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.43402

Ключові слова:

монокристали алмазу, система на основі магнію, бор, B–N комплекси, нескомпенсований бор ІЧ-спектроскопія

Анотація

Досліджено особливості росту алмазу в ростовій системі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа та Т » 1800–2000 °C. Алмази, що були вирощені, досліджено методами ІЧ-спектроскопії. Показано, що монокристали, що були отримані в цій системі, є умовно безазотними типу IIa + IIb; основною домішкою є бор.

Біографії авторів

Татьяна Викторовна Коваленко, Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074

Молодший науковий співробітник

Відділ Кінетики кристалізації монокристалів надтвердих матеріалів та технологій їх одержання і використання

Сергей Алексеевич Ивахненко, Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074

Член-кореспондент НАН України, доктор технічних наук, професор

Відділ Кінетики кристалізації монокристалів надтвердих матеріалів та технологій їх одержання і використання

Александр Михайлович Куцай, Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074

Кандидат технічних наук, старший науковий співробітник

Лабораторія наноструктурних і кристалофізичних досліджень

Посилання

  1. Shul’zhenko, A. A., Get’man, A. F. (1971). Method of diamond synthesis. UK Patent 1315778.
  2. Shul’zhenko, A. A., Get’man, A. F. (1974). Method of diamond synthesis. Canada Patent 954019.
  3. Shul’zhenko, A. A, Novikov, N. V., Chipenko, G. V. (1988). Special features of diamond growth in the magnesium-based systems. J. Superhard Mater, 10 (3), 10–11.
  4. Shul’zhenko, A. A. (1973). O mekhanisme obrazvanija sinteticheskih almazov. Sverkhtverdye materially v promyshlennosti. Kiev: Gosplan USSR, 9–15.
  5. Novikov, N. V., Shul’zhenko, A. A. (1990). The increase of synthetic diamond growth rate. Science and Technology of New Diamond, 217–219.
  6. Novikov, N. V. (1987). Fizicheskie svojstva almazov. Kiev: Naukova dumka, 189.
  7. Chepugov, A. P., Emelyanov, I. A., Lysakovskij, V. V. et al. (2012). Osobennosti vnutrennej struktury krupnyh poluprovodnikovyh monokristallov almaza, vyrashhennyh metodom temperaturnogo gradienta. Porodorazrushayushchij i metalloobrabatyvayushchij instrument – tekhnika i technologiya izgotovleniya i primeneniya, 15, 277–282.
  8. Chepugov, A, Ivakhnenko, S, Garashchenko, V. (2013) The study of large semiconducting single crystal diamonds zonal-sectorial structure, E-MRS 2013 FALL MEETING, F 46.
  9. Chepugov, A. P., Chajka, A. N., Grushko, V. I. et al. Legirovannye borom monokristally almaza dlya zondov vysokovakuumnoj tunnelnoj mikroskopii (2013). Sverhtverdye materially, 3, 29–37.
  10. Novikov, N. V., Nachalna, T. A., Ivakhnenko, S. A., Zanevsky, O. A., Belousov, I. S., Malogolovets, V. G. et. al. (2003). Properties of semiconducting diamonds grown by the temperature-gradient method. Diamond and Related Materials, 12 (10-11), 1990–1994. doi: 10.1016/s0925-9635(03)00317-0
  11. Burns, R. C., Hansen, J. O., Spits, R. A., Sibanda, M., Welbourn, C. M., Welch, D. L. (1999). Growth of high purity large synthetic diamond crystals. Diamond and Related Materials, 8 (8-9), 1433–1437. doi: 10.1016/s0925-9635(99)00042-4
  12. Kovalenko, T. V., Ivakhnenko, S. O., Bilyavina, N. M., Shul’zhenko, A. A (2007). Doslidgennya spontanoi krystalizatcii almaza v systemah na osnovi magniyu. Porodorazrushayushchij i metalloobrabatyvayushchij instrument – tekhnika i technologiya izgotovleniya i primeneniya, 10, 280–284.
  13. Tsiklis, D. S. (1978). Tekhnika fiziko-himicheskih issledovanij pri vysokih i sverxvysokih davleniyah. Moscow, 431.
  14. Zaitsev, A. M.(2001). Optical properties of diamond: a data handbook. Berlin: Springer, Verlag, 502.
  15. Klyuev, Yu. A. (1972). IK-issledovaniya sinteticheskih almazov. Almazy, 9, 1–5.
  16. Chepurov, A. I., Yelisseyev, A. P., Zhimulev, E. I., Sonin, V. M., Fedorov, I. I., & Chepurov, A. A. (2008). High-pressure, high-temperature processing of low-nitrogen boron-doped diamond. Inorganic Materials, 44(4), 377–381. doi:10.1134/s0020168508040092

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-06-24

Як цитувати

Коваленко, Т. В., Ивахненко, С. А., & Куцай, А. М. (2015). Особливості дефектно-домішкового складу алмазів, отриманих в системі магній–вуглець. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(11(75), 39–42. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.43402

Номер

Том 3 № 11(75) (2015): Матеріалознавство

Розділ

Матеріалознавство

Ліцензія

Авторське право (c) 2015 Татьяна Викторовна Коваленко, Сергей Алексеевич Ивахненко, Александр Михайлович Куцай

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.