Вибіркове травлення монокристалів алмазу, отриманих методом температурного градієнта

Автор(и)

  • Елена Михайловна Супрун Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074, Україна https://orcid.org/0000-0002-4619-4635
  • Сергей Алексеевич Ивахненко Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074, Україна https://orcid.org/0000-0001-9243-9982

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.43454

Ключові слова:

монокристали алмазу, дислокаційна структура, вибіркове травлення, нітрид калію, ямки травлення

Анотація

Монокристали алмазу, що були отримані методом температурного градієнту, досліджували за допомогою вибіркового травлення. Травлення проводили з допомогою нітриду калію та гідроксиду калію при атмосферному тиску та температурі 550 ÷ 580˚С. Показано, що монокристали алмазу мають високий рівень досконалості та повільно травляться при даних температурах.

Біографії авторів

Елена Михайловна Супрун, Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074

Молодший науковий співробітник

Відділ Кінетики кристалізації монокристалів надтвердих матеріалів та технологій їх одержання і використання

Сергей Алексеевич Ивахненко, Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України вул. Автозаводська 2а, м. Київ, Україна, 04074

Член-кореспондент НАН України, доктор технічних наук, професор

Відділ Кінетики кристалізації монокристалів надтвердих матеріалів та технологій їх одержання і використання

Посилання

  1. Novikov, N. V., Nachalna, T. A., Ivakhnenko, S. A., Zanevsky, O. A., Belousov, I. S., Malogolovets, V. G. et. al. (2003). Properties of semiconducting diamonds grown by the temperature-gradient method. Diamond and Related Materials, 12 (10-11), 1990–1994. doi: 10.1016/s0925-9635(03)00317-0
  2. Burns R., Kessel S., Sibanda M., Welbourn, C. еt al. (2001). Large synthetic diamonds. The 8th NIRIM International symposium on Adnaced materials (ISAM 2001), Tsukuba, Japan, 105–111.
  3. Kanda, H. (2000). Large diamonds grown at high pressure conditions. Brazilian Journal of Physics, 30 (3), 482–489. doi: 10.1590/s0103-97332000000300003
  4. Burns, R., Hansen, J., Spits, R., Sibanda, M et al. (1999). Growth of high purity large synthetic diamond crystals. Diamond and Related Materials, 8, 1433–1437
  5. Novykov, N. V. (Ed.) (2003). Sverkhtverdye materyaly. Poluchenye y prymenenye. Monohrafyya v 6 tomakh. Tom 1:Syntez almaza y podobnшkh materyalov. Kyev :ISM im. Bakulya, YPTs «Alkon» NANU, 318
  6. Hryhor'ev, D. P., Shafranovskyy, Y. Y. (1942) Novie opiti po rastvorenyyu almaza. Zapysky Vserosyys'koho myn. ob-va, 1-2 (70).
  7. Kukharenko, A. A., Tytova, V. M. (1957). Novнe dannуe po rastvorenyyu krystallov almaza. Uchenie zapysky LHU, 215.
  8. Tytova, V. M. (1962). Novуe dannуe po rastvorenyyu almaza. Zapysky Vses. Myn. ob-va, 4 (91).
  9. Varshavs'kyy, A. V. (1968). «Anomal'noe dvulucheperelomlenye y vnutrennyaya morfolohyya almaza». Moscow: Nauka, 92.
  10. Varshavs'kyy, A. V. (1965). Zapysky vsesoyuznoho myneralohychnoho obshchestva, 2 ser. Moscow, Yzd-vo AN SSSR, 4 (94), 177–189.
  11. Bokyy, H. B., Epyshyna, N. Y., Semenova-Tyan-Shanskaya, A. S. (1968) .Travlenye oktaэdrycheskykh hraney yakut·skykh almazov s tsel'yu podscheta plotnosty dyslokatsyy. Almazу, nauchno-tekhnycheskyy referatyvnyy sbornyk, 4, 3–5.
  12. Khokhryakov, A. F. (2004). Rastvorenye almaza: еksperymental'noe yssledovanye protsessov y model' krystallomorfolohycheskoy еvolyutsyy. Ynstytut myneralohyy y petrohrafyy RAN, Novosyb, 36.
  13. Pal'yanov, Yu. N., Sokol, A. G., Borzdov, Yu. M., Khokhryakov, A. F. (2002). Fluid-bearing alkaline-carbonate melts as the medium for the formation of diamonds in the Earth's mantle: an experimental study Lithos, 60 (3-4), 145—159.
  14. Pal'yanov, Yu. N. (1997) Rost krystallov almaza (еksperymental'noe yssledovanye). Ynstytut myneralohyy y petrohrafyy RAN, Novosyb, 37.
  15. Hryhor'ev, O. N., Epyfanov, V. Y., Kononenko, V. Y. et. al. (1973). Yzuchenye poverkhnosty almaza metodom yzbyratel'noho travlenyya. Metallofyzyka. Kiev: Naukova dumka, 81–89.
  16. Zhykhareva, V. P. (1980). Opyty po travlenyyu syntetycheskykh almazov. Myneralohychnyy sbornyk L'vovskoho hosudarstvennoho unyversyteta, 34 (1), 73–76.
  17. Strong, H. M., Wentorf, R. H. (1972). The growth of large diamond crystals. Die Naturwissenschaften, 59 (1), 1–7. doi: 10.1007/bf00594616
  18. Vererschagin, L. F., Bakul, V. N., Semerchan, A. A., Prikhna, A. I., Popov, V. V. et. al. (1974). Pat.1360281 Great Britain, МKI 01J 3/00 pparatus For Developing High Pressures And High Temperatures: Pat. GB 1360281.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-06-17

Як цитувати

Супрун, Е. М., & Ивахненко, С. А. (2015). Вибіркове травлення монокристалів алмазу, отриманих методом температурного градієнта. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(5(75), 47–50. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2015.43454

Номер

Том 3 № 5(75) (2015): Прикладна фізика

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2015 Елена Михайловна Супрун, Сергей Алексеевич Ивахненко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.