Вплив атомів вуглецю на утворення домішкових комплексів в монокристалах кремнію
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.5577Ключові слова:
Кремній, монокристал, вуглець, домішкові комплексиАнотація
Експериментально встановлено, що в процесі вирощування бездислокаційних монокристалів кремнію за методом Чохральського внаслідок зміни співвідношення концентрацій домішок відбувається активізація участі атомів вуглецю в утворенні домішкових комплексів
Посилання
- Проспект фирмы МЕМС, 1994-1995. – 12 с.
- Wijaranacula W. Numerical modeling of the point defect aggregation during the Czochralski silicon crystal growth / W. Wijaranacula // Journal of electrochemical society. – 1992. - Vol. 139, № 2. - P. 604-616.
- Червоний І.Ф. Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва / І.Ф. Червоний , В.З. Куцова, В.І. Пожуєв, Є.Я. Швець, О.А. Носко, С.Г. Єгоров, Р.М. Воляр. – Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2009. – 488 с.
- Червоний, І.Ф. Управління концентрацією кисню під час вирощування монокристалів кремнію / І.Ф. Червоний, Є.Я. Швець, О.П. Головко, Р.М. Воляр // Металургія: Збірник наукових праць ЗДІА. - Запоріжжя: ЗДІА, 2005. – Вип. 11. – С. 63-69.
- Швец Е.Я., Головко Ю.В. Исследование распределения углерода между расплавом, твёрдой и газовой фазами в процессе выращивания монокристаллов кремния / Металургія. Збірник наукових праць ЗДІА. - Запоріжжя: ЗДІА, 2008. – Вип. 17. – С. 104-108.
- ASTM F1391. Standard test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption // Annual Book of ASTM Standards.Vol.10.05 (1997).
- Швець Є.Я., Головко Ю.В. Вплив комплексоутворення на коефіцієнти розподілу домішок у процесі вирощування монокристалів кремнію / Металургія. Збірник наукових праць ЗДІА. - Запоріжжя: ЗДІА, 2011. – Вип. 25. – С. 124 – 131.
- ASTM F1727. Standard practice for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers // Annual Book of ASTM Standards.Vol.10.05 (1997).
- Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии; пер. с англ. – М.: Мир, 1984. – 475 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Юрій Васильович Реков, Іван Федорович Червоний, Євген Якович Швець, Юрій Вікторович Головко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
