Малогабаритний діодний термосенсор

Автор(и)

  • Леонід Францович Політанський Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Петро Олексійович Яганов Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" пр. Перемоги, 37, м. Київ, Україна, 03056, Україна https://orcid.org/0000-0001-7358-9846
  • Валентин Вікторович Лесінський Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6016

Ключові слова:

діодний термосенсор, мікроелектронна технологія, саморозігрів

Анотація

У роботі приведена конструкторсько-технологічна реалізація малогабаритного безкорпусного діодного термосенсора, виготовленого за мікроелектронною технологією на кремнієвих структурах з діелектричною ізоляцією. Досліджено фактори, що впливають на похибку вимірювання температури внаслідок саморозігріву

Біографії авторів

Леонід Францович Політанський, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Доктор технічних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки

Петро Олексійович Яганов, Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" пр. Перемоги, 37, м. Київ, Україна, 03056

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра конструювання електронно-обчислювальної апаратури

Валентин Вікторович Лесінський, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Асистент кафедри радіотехніки та інформаційної безпеки

Посилання

  1. ShwartsYu.M., Borblik V.L., Kulish N.R., Sokolov V.N., Shwarts M.M.,Venger E.F. Silicon Diode Temperature Sensor without a Kink of the Response Curve in Cryogenic Temperature Region // Sensors and Actuators. – 1999. – A.76. – P. 107 – 111.
  2. Яганов П.А. Кремниевые микросенсоры температуры на основе p-n перехода // Электроника и связь. – 2004. – том 9, № 22. – C.134 – 139.
  3. Dodrill B.C., Krause J.K., Swinehart P.R., Wang V. Performance Characteristics of Silicon Diode Cryogenic Temperature Sensors // Applications of Cryotronic Technology. – 1991. – No 10. – Р. 85-107.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-12-26

Як цитувати

Політанський, Л. Ф., Яганов, П. О., & Лесінський, В. В. (2012). Малогабаритний діодний термосенсор. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(60), 4–6. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6016

Номер

Розділ

Сенсорні напівпровідникові пристрої