Стійкість фотоперетворювача In2О3–p-InSe до різних видів опромінення
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6020Ключові слова:
шаруватий кристал, селенід індію, гамма-випромінювання, електронне випромінювання, нейтронне випромінюванняАнотація
Приведено результати впливу гальмівних гамма-квантів, високоенергетичних електронів і гамма-нейтронів на електричні та фотоелектричні властивості фотоперетворювача In2О3–p-InSe. Запропоновано фізичну модель електронних процесів, що відбуваються у даній структурі при впливі різних типів опромінень. Здійснено порівняння з тестовим сонячним елементом IТО–SiO2–n-SiПосилання
- Kovalyuk, Z.D. Intrinsic conductive oxide–p-InSe solar cells [Текст] / Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, A.I. Savchuk, O.M. Sydor // Mater. Sci. Eng. B. – 2004. – V. 109. – P. 252–255.
- Савицкий, П.И. Анизотропия электропроводности в моноселениде индия [Текст] / П.И. Савицкий, З.Д. Ковалюк, И.В. Минтянский // Неорганические материалы. – 1996. – Т.32, №4. – С. 405–409.
- Bakhtinov, A.P. Formation of nanostructure on the surface of layered inse semiconductor caused by oxidation under heating [Текст] / A.P. Bakhtinov, Z.D. Kovalyuk, O.N. Sydor, V.N. Katerinchuk, O.S. Litvin // Physics of the Solid State. –2007. – V. 49, N. 8. – P. 1572–1578.
- Вавилов, В.С. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах [Текст] / В.С. Вавилов, Н.А. Ухин. – М.: Атомиздат, 1969 – 310 c.
- Balitskii, O.A. Thermodinamic study of AIIIBVI compounds oxidation [Текст] / O.A. Balitskii, V.P. Savchyn // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2004. – V. 7. – P. 55–58.
- Alekperov, O.Z. Interband photoconductivity in layer semiconductors GaSe, InSe and GaS [Текст] / O.Z. Alekperov, M.O. Godjaev, M.Z. Zarbaliev, R.A. Suleymanov // Solid State Communication. – 1991. – V. 77, N. 1. – P. 65–67.
- Alekperov, O.Z. Intermediate type excitons in schottky barriers of A3B6 layer semiconductors and UV photodetectors [Текст] / O.Z. Alekperov, N.M. Guseinov, A.I. Nadjafov // Phys. stat. sol. (c). – 2006. – V. 3, N. 8. – P. 2669–2672.
- Ahmed, S.N. Physics and engineering of radiation detection [Текст] / S.N. Ahmed. –London: Academic Press, 2007 – 764 p.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Олег Миколайович Сидор
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
