Електричні властивості ізотипних гетероструктур n-TiN/n-Si

Автор(и)

  • Михайло Миколайович Солован Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Павло Дмитрович Мар’янчук Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Віктор Васильович Брус Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6024

Ключові слова:

гетероперехід, послідовний опір, ТіN

Анотація

Виготовлені гетероструктури n-ТіN/n-Si методом реактивного магнетронного розпилення. Виміряно вольт-амперні характеристики (ВАХ) гетероструктури при різних температурах

Біографії авторів

Михайло Миколайович Солован, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012

Аспірант

Павло Дмитрович Мар’янчук, Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича вул. Коцюбинського, 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра електроніки і енергетики

Віктор Васильович Брус, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000

Аспірант

Чернівецьке відділення

Посилання

  1. Gagnon, G. Characterization of reactively evaporated TiN layers for diffusion barrier applications [Текст] / G. Gagnon, J.F. Currie, C. Beique, J.L. Brebner, S.G. Gujrathi, L. Onllet // J. Appl. Phys., 1994, Vol. 75(3), pp. 1565-1570
  2. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные елементы: Теория и експеримент (М., Энергоатомиздат, 1987) [Пер. с анг.: A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (New York, 1983).
  3. К.Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные елементы (М.: Мир, 1986) [Пер. с англ. с сокращениями: K.L. Chopra, S.R. Das, Thin film solar cells (Plenum Press, New York, 1981)].
  4. Г. В. Самсонов. Нитриды (М. Наукова думка, 1969) С. 133-158.
  5. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. Радио, 1979) [Пер. с анг.: B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions (Pergamon Press, 1974)].
  6. Brus V.V. Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe / V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytskiy // Semiconductor Science and Technology. – 2011. – Vol. 26. – 125006.
  7. Брус, В.В.Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdZnO/p-CdTe [Текст] / В.В. Брус, М.И. Илащук, В.В. Хомяк, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий // ФТП. – 2012. – Том. 46, Вып. 9. – С. 1175-1180.
  8. Brus, V.V. Light-dependent I–V characteristics of TiO2/CdTe heterojunction solar cells [Текст] / V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk // Semicond. Sci. Technol. – 2012. – Vol. 27. – 055008.
  9. Solovan, M.N. Electrical and Optical Properties of TiO2 and TiO2:Fe Thin Films [Текст] / M.N. Solovan, P.D. Maryanchuk, V.V. Brus, O.A. Parfenyuk // Inorganic Materials, 2012, Vol. 48(10), pp. 1026–1032.
  11. Брус, В.В. Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах n-ТіО2/p-CdTe [Текст] / В.В. Брус, М.И. Илащук, З.Д. Ковалюк, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, Б.Н. Грицюк // ФТП. – 2011. – Том. 45, Вып. 8. – С. 1109-1113.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-12-26

Як цитувати

Солован, М. М., Мар’янчук, П. Д., & Брус, В. В. (2012). Електричні властивості ізотипних гетероструктур n-TiN/n-Si. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(60), 34–36. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6024

Номер

Том 6 № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої

Розділ

Сенсорні напівпровідникові пристрої

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Михайло Миколайович Солован, Павло Дмитрович Мар’янчук, Віктор Васильович Брус

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.