Особливості ємнісних характеристик гетероструктур n-TіO2/p-CdTe, отриманих методом спрей-піролізу

Автор(и)

  • Віктор Васильович Брус Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000, Україна
  • Марія Іванівна Ілащук Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Орест Архипович Парфенюк Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Павло Дмитрович Мар’янчук Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Наталія Миколаївна Гавалешко Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6025

Ключові слова:

CdTe, TіO2, гетеро структури, спрей-піроліз

Анотація

Проведено дослідження електричних властивостей анізотипних гетеропереходів  n-TіO2/p-CdTe, отриманих методом спрей-піролізу. Основні результати досліджень пояснені в рамках моделі структури з тонким високоомним прошарком на поверхні бази та наявністю значної концентрації поверхневих енергетичних станів на межі розділу компонент

Біографії авторів

Віктор Васильович Брус, Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України вул. Ірини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58000

Аспірант

Чернівецьке відділення

Марія Іванівна Ілащук, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, асистент

Кафедра електроніки і енергетики

Орест Архипович Парфенюк, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор

Кафедра електроніки і енергетики

Павло Дмитрович Мар’янчук, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Доктор фізико-математичних наук, професор, завідувач кафедри

Кафедра електроніки і енергетики

Наталія Миколаївна Гавалешко, Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича вул. Коцюбинського 2, Чернівці, Україна, 58012

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра електроніки і енергетики

Посилання

  1. Fahrenbruch, A.L. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion [Текст] / A.L.Fahrenbruch, R.H.Bube.–Academic Press, New York, 1983 – 280p.
  2. Diebold, U. The surface science of titanium dioxide [Текст] / U. Diebold // Surface Science Reports. – 2003. – V.43. – P. 53-229.
  3. Ernst, K. Contacts to a solar cell with extremely thin CdTe absorber [Текст] / K. Ernst, R. Engelhardt, K. Ellmer, C. Kelch, H.-J. Muffler, M.-Ch. Lux-Steiner// Thin Solid Films. – 2001. – V.387 ( 26Ž). – P.26 -28.
  4. Brus, V.V. Electrical and photoelectrical properties of photosensitive heterojunctions n-TiO2/p-CdTe [Текст] / V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryanchuk, K.S. Ulyanytsky // Semicond. Sci. Technol. – 2011. – V.26. –P.125006-125012.
  5. Лебедев, А.А. Емкостные измерения в случае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода от приложенного напряжения [Текст] / А.А.Лебедев, А.А.Лебедев, Д.В.Давыдов // ФТП.–2000.–№1(34).–С.113-116.
  6. Зи, С.М. Физика полупроводниковых приборов [Текст] / С.М. Зи – М.:Энергия, 1973. – 655с.
  7. Ponpon, J. P. A review of ohmic and rectifying contacts on cadmium telluride [Текст] / J. P. Ponpon // Solid State Elektron. –1985. –№.7(28) – P.689 -706.
  8. Заверюхин, Б.Н. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия [Текст] / Б.Н.Заверюхин, Н.Н.Мирсагатов, Н.Н.Заверюхина, В.В.Володарский, Е. Б. Заверюхина // Письма в ЖТФ. – 2003. –№.29(29). – С.80-87.

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-12-26

Як цитувати

Брус, В. В., Ілащук, М. І., Парфенюк, О. А., Мар’янчук, П. Д., & Гавалешко, Н. М. (2012). Особливості ємнісних характеристик гетероструктур n-TіO2/p-CdTe, отриманих методом спрей-піролізу. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(12(60), 37–40. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6025

Номер

Том 6 № 12(60) (2012): Сенсорні напівпровідникові пристрої

Розділ

Сенсорні напівпровідникові пристрої

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Віктор Васильович Брус, Марія Іванівна Ілащук, Орест Архипович Парфенюк, Павло Дмитрович Мар’янчук, Наталія Миколаївна Гавалешко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.