Фоточутливі гетероструктури і фільтри інфрачервоного діапазону на мо-нокристалах CdSb, In4Se3
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2012.6029Ключові слова:
напівпровідник, монокристал, гетероструктура, інфрачервоний фільтр, CdSb, In4Se3Анотація
Отримані фоточутливі гетероструктурні елементи і інтерференційно-абсорбційні відрізаючі фільтри на основі напівпровідникових монокристалів CdSb та In4Se3. Проведена модифікація лазером епітаксійних шарів та вивчена їх морфологія і структура. Показано, що оптимальні інтенсивності лазерної обробки призводять до покращення структури перехідного шару і забезпечують формування різких гетеропереходів, фоточутливих в ІЧ-області спектруПосилання
- Пляцко, Г.В. Формирование p-n-переходов в антимониде кадмия под действием лазерного излучения [Текст] / Г.В. Пляцко, С.Г. Кияк С.Г., А.Ф. Семизоров, М.И. Мойса // Физика и техника полупроводников. – 1980. – В. 2. – С.404-406.
- Балицький, О.О. Взаємодія GaSe при молекулярно пучковій епітаксії з підкладкою In4Se3 [Текст] / О.О. Балицький // Журнал фізичних досліджень.– 2005.– т.9, №6. – С.265-267.
- Gritsyuk, B.M. IR-photodetectors on CdSb, In4Se3, In4Te3-epitaxial barrier structures [Текст] / O.V. Galochkin, A.I. Rarenko, V.N. Strebezhev // Proceedings of the SPIE. – 2003. – V. 5065. – P. 139-145.
- Melnychuk T.A, Strebegev V.N. Vorobets G.I. Laser synthesis of thin films and layers of In4Se3, In4Te3 and modification of their structure [Текст] / T.A. Melnychuk V.N., Strebegev, G.I. Vorobets // Applied Surface Science. – 2007. – V.254. – P.1002.
- Dremluzhenko, S.G. Interference IR-filters on the CdSb monocrystal sub-strates [Текст] / S.G. Dremluzhenko, L.I. Konopaltseva, S.M. Kulikovskaya, Yu.P. Stetsko, V.N. Strebezhev, A.I. Rarenko, S.E.Ostapov // Proceedings of the SPIE. – 1999. – V. 3890. – P.104-110.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Юрій Костянтинович Обедзинський, Богдан Миколайович Грицюк, Віктор Миколайович Стребежев, Володимир Вікторович Стребежев, Іван Миколайович Юрійчук
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
