Способи обмеження перенапруг в сучасних комутаційних напівпровідникових апаратах постійного струму та їх розрахунок

Автор(и)

  • Anatoly Soskov Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002, Україна https://orcid.org/0000-0002-2088-1736
  • Natalia Sabalaeva Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002, Україна https://orcid.org/0000-0002-7015-1811
  • Marina Glebova Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002, Україна https://orcid.org/0000-0002-0973-150X
  • Yana Forkun Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002, Україна https://orcid.org/0000-0002-5718-1426

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.72533

Ключові слова:

комутаційна перенапруга, обмежувач перенапруг, варистор, напівпровідниковий апарат, напівпровідниковий прилад

Анотація

Показано, що в сучасних напівпровідникових апаратах постійного струму для обмеження комутаційних перенапруг до встановленого рівня доцільно запасену в індуктивності мережі енергію розсіювати за допомогою обмежувача перенапруг, виконаного на послідовно-паралельно увімкнених енергоємних варисторах. Розроблена методика розрахунку його параметрів та наведені приклади розрахунку. 

Біографії авторів

Anatoly Soskov, Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002

Доктор технічних наук, професор

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Natalia Sabalaeva, Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Marina Glebova, Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Yana Forkun, Харківський національний університет міського господарства імені О. М. Бекетова вул. Революції, 12, м. Харків, Україна, 61002

Кандидат технічних наук, доцент

Кафедра теоретичної та загальної електротехніки

Посилання

  1. Rozanov, Yu. K., Ryabchitskiy, M. V., Kvasnyuk, A. A. (2007). Silovaya elektronika. Moscow: Izdatelskiy dom MEI, 632.
  2. Holroyd, F. W., Temple, V. A. K. (1982). Power Semiconductor Devices for Hybrid Breakers. IEEE Transactions on Power Apparatus and Systems, PAS-101(7), 2103–2108. doi: 10.1109/tpas.1982.317427
  3. Soskov, A. G. (2011). Usovershenstvovannyie silovyie kommutatsionnyie poluprovodnikovyie apparatyi nizkogo napryazheniya. Kharkiv National Academy of Municipal Economy, 156.
  4. Soskov, A. G., Sabalaeva, N. O. (2012). Gibridni kontaktori nizkoyi naprugi z pokraschenimi tehniko-ekonomichnimi harakteristikami. Kharkiv National Academy of Municipal Economy, 268.
  5. Storasta, L., Haefner, M. J., Dugal, F., Tsyplakov, E., Callavik, M. (2015). Optimized Power Semiconductors for the Power Electronics Based HVDCBreaker Application. PCIM Europe 2015; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, 1–7.
  6. Tanaka, Y., Takatsuka, A., Yatsuo, T., Sato, Y., Ohashi, H. (2013). Development of semiconductor switches (SiC-BGSIT) applied for DC circuit breakers. 2013 2nd International Conference on Electric Power Equipment – Switching Technology (ICEPE-ST). doi: 10.1109/icepe-st.2013.6804323
  7. Yang, B., Gao, Y., Wei, X., He, Z., Chen, L., Shan, Y. (2015). A hybrid circuit breaker for DC-application. 2015 IEEE First International Conference on DC Microgrids (ICDCM), 187–192. doi: 10.1109/icdcm.2015.7152036
  8. Huang, A., Chang, P., Xiaoqing, S. (2015). Design and development of a 7.2 kV/200A hybrid circuit breaker based on 15 kV SiC emitter turn-off (ETO) thyristor. 2015 IEEE Electric Ship Technologies Symposium (ESTS), 306–311. doi: 10.1109/ests.2015.7157909
  9. Soskov, A. G., Soskova, I. A. (2005). Poluprovodnikovyie apparatyi: kommutatsiya, upravlenie, zaschita. Kyiv: Karavella, 344.
  10. Soskova, I. A., Alaev, P. N. (2001). Raschyot perenapryazheniy v poluprovodnikovyih klyuchah elektronnyih apparatov postoyannogo toka s uchyotom predvklyucheniy induktivnosti seti. Visnik of National Technical University "Kharkiv Polytechnic Institute", 14, 323–329.
  11. Magnusson, J., Bissal, A., Engdahl, G., Saers, R., Zichi, Z., Liljestrand, L. (2013). On the use of metal oxide varistors as a snubber circuit in solid-statebreakers. IEEE PES ISGT Europe 2013, 1–4. doi: 10.1109/isgteurope.2013.6695454
  12. Hassanpoor, A., Hafner, J., Jacobson, B. (2014). Technical assessment of load commutation switch in hybrid HVDC breaker. 2014 International Power Electronics Conference (IPEC-Hiroshima 2014 - ECCE ASIA), 3667–3673. doi: 10.1109/ipec.2014.6870025
  13. Burman, A. P. et. al.; Rozanov, Yu. K. (Ed.) (2010). Elektricheskie i elektronnyie apparatyi. In 2 volumes. Vol. 2. Silovyie elektronnyie apparatyi. Moscow: uzd. tsentr. «Akademiya», 320.
  14. Hassanpoor, A., Hafner, J., Jacobson, B. (2015). Technical Assessment of Load Commutation Switch in Hybrid HVDC Breaker. IEEE Trans. Power Electron., 30 (10), 5393–5400. doi: 10.1109/tpel.2014.2372815
  15. Soskov, A. G., Alaev, P. N., Soskova, I. A. (2004). Sverhbyistrodeystvuyuschie beskontaktnyie vyiklyuchateli na polnostyu upravlyaemyih silovyih poluprovodnikovyih priborah. ElektrotehnIka I ElektromehanIka, 2, 46–50.
  16. Soskov, A. G., Sabalaeva, N. O., Soskova, I. A. (2009). Issledovanie kommutatsionnyih perenapryazheniy pri kommutirovanii tsepey peremennogo toka gibridnyimi kontaktorami. Noveyshie tehnologii v elektroenergetike», 28.
  17. Klimenko, B. V. (2012). Elektrichni aparati. elektromehanichna aparatura komutatsiyi, keruvannya ta zahistu. zagalniy kurs. Kharkiv: Tochka, 340.
  18. Zeveke, G. V., Ionkin, P. A., Netushil, A. V., Strahov, S. V. (1989). Osnovyi teorii tsepey. 5th edition. Moscow: Energoatomizdat, 528.
  19. Soskov, A. G., Glebova, M. L., Sabalaeva, N. O., Forkun, Ya. B. (2014). Calculation of the thermal mode in semiconductor devices in conditions of their operation in semiconductor apparatuses. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5/8 (71), 58–66. doi: 10.15587/1729-4061.2014.27983

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-06-29

Як цитувати

Soskov, A., Sabalaeva, N., Glebova, M., & Forkun, Y. (2016). Способи обмеження перенапруг в сучасних комутаційних напівпровідникових апаратах постійного струму та їх розрахунок. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 3(8(81), 4–9. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.72533

Номер

Розділ

Енергозберігаючі технології та обладнання