Забезпечення екологічної безпеки шляхом використання пористих напівпровідників для сонячної енергетики

Автор(и)

  • Yana Suchikova Бердянський державний педагогічний університет вул. Шмідта, 4, м. Бердянськ, Україна, 71100, Україна https://orcid.org/0000-0003-4537-966X

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.85848

Ключові слова:

наноструктуровані напівпровідники, фотоелектричні перетворювачі енергії, екологічна безпека, електрохімічне травлення, багаторівнева декомпозиція, пористі шари

Анотація

Представлено схему багаторівневої декомпозиції задач забезпечення екологічної безпеки шляхом використання інноваційних технологій для сонячної енергетики Показано, що підвищення ККД фотоелектричних перетворювачів енергії стає можливим за рахунок використання наноструктурованих напівпровідників. Для отримання наноструктур використовували метод електрохімічного травлення

Біографія автора

Yana Suchikova, Бердянський державний педагогічний університет вул. Шмідта, 4, м. Бердянськ, Україна, 71100

Кандидат фізико-математичних наук, доцент

Кафедра професійної освіти 

Посилання

  1. Freik, D. M., Chobanyuk, V. M., Galuschak, M. O., Krunutcky, O. S., Mateik, G. D. (2012). Photovoltaic Converters of Solar Radiation. Achievements, Current Status and Trends (Review). Physics And Chemistry Of Solid State, 13 (1), 7–20.
  2. World map of the PV Industry (2008). Sun & Wind Energy, 4, 120–126.
  3. Erohov, V. Yu., Druzhinin, A. A. (2009). Silicon multiporitoy texture for photovoltaic solar energy. Tehnologiya i konstruirovanie v ellektronnoy apparature, 3, 21–23.
  4. Arutyunyan, V. M., Martirosyan, H. S., Ogannisyan, A. S., Sukiasyan, P. G. (2008). The use of porous silicon for two-and three-layer antireflection coatings for silicon photovoltaic inverters. Izvestiya NAN Armenii, Fizika, 43 (2), 111–119.
  5. Ou, W., Zhao, L., Diao, H., Zhang, J., Wang, W. (2011). Optical and electrical properties of porous silicon layer formed on the textured surface by electrochemical etching. Journal of Semiconductors, 32 (5), 056002. doi: 10.1088/1674-4926/32/5/056002
  6. Huang, Y. M., Ma, Q. L., Meng, M., Zhai, B. G. (2010). Porous Silicon Based Solar Cells. Materials Science Forum, 663-665, 836–839. doi: 10.4028/www.scientific.net/msf.663-665.836
  7. Salman, K. A., Omar, K., Hassan, Z. (2011). The effect of etching time of porous silicon on solar cell performance. Superlattices and Microstructures, 50 (6), 647–658. doi: 10.1016/j.spmi.2011.09.006
  8. Dubey, R. S. (2013). Electrochemical Fabrication of Porous Silicon Structures for Solar Cells. Nanoscience and Nanoengineering, 1 (1), 36–40.
  9. Salman, K. A., Omar, K., Hassan, Z. (2012). Effect of Silicon Porosity on Solar Cell Efficiency. Int. J. Electrochem. Sci, 7, 376–386.
  10. Suchikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2011). Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals. Semiconductors, 45 (1), 121–124. doi: 10.1134/s1063782611010192
  11. Suchikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2010). Influence of the carrier concentration of indium phosphide on the porous layer formation. Journal of Nano- and Electronic Physics, 2 (4), 75–81.
  12. Kosyachenko, L. A., Grushko, E. V., Mathew, X. (2012). Quantitative assessment of optical losses in thin-film CdS/CdTe solar cells. Solar Energy Materials and Solar Cells, 96, 231–237. doi: 10.1016/j.solmat.2011.09.063
  13. Kondratenko, A. N., Vambol, S. A., Vambol, V. V. (2015). The controller functions of ecological safety of power plants. Vestnik HNADU, 69, 95–100.
  14. Vambol, S. A. (2013). Control systems of environmental security that use multiphase dispersed structure. Kharkiv: Nats. Aerokosm. Un-t «Hark. aviats. in-t.», 204.
  15. Suchikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2010). Preparation of nanoporous n-InP(100) layers by electrochemical etching in HCI solution. Functional Materials, 17 (1), 131–134.
  16. Suchikova, Y. A. (2015). Synthesis of indium nitride epitaxial layers on a substrate of porous indium phosphide. Journal of Nano- and Electronic Physics, 7 (3), 03017-1–03017-3.
  17. Sychikova, Y. A., Kidalov, V. V., Sukach, G. A. (2013). Dependence of the threshold voltage in indium-phosphide pore formation on the electrolyte composition. Journal of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 7 (4), 626–630. doi: 10.1134/s1027451013030130
  18. Voropayeva, S. L. (2013). Predicting reliability of structures gap-sno2 on the based of 3d model of their surface. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6 (13 (66)), 96–98. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19683/17579
  19. Obedzynskyy, Yu. K., Savchuk, A. Y., Strebezhev, V. N., Yuryychuk, Y. N. (2013). Epitaxial structures on the base of cd1-xznxsb and laser optimization of their properties. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6 (12 (66)), 103–106. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19696/17581
  20. Orlov, A., Ulianova, V., Pashkevich, G., Bogdan, O. (2013). Peculiarity of Seed-Layer Synthesis and Morphometric Characteristics of ZnО Nanorods. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6 (12 (66)), 72–75. Available at: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19737/17573
  21. Elkina, L. G., Nabiullina, R. R. (2009). Environmentally sound management: principles, methods and forms of organization of the enterprise. Vestnik UGATU, 12 (3 (32)), 48–56.

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-12-27

Як цитувати

Suchikova, Y. (2016). Забезпечення екологічної безпеки шляхом використання пористих напівпровідників для сонячної енергетики. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 6(5 (84), 26–33. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2016.85848

Номер

Том 6 № 5 (84) (2016): Прикладна фізика. Матеріалознавство

Розділ

Матеріалознавство

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Yana Sychikova

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.