Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі InSe та ядерний квадрупольний резонанс у вихідних матеріалах

Автор(и)

  • Виктор Александрович Хандожко Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012, Україна
  • Захар Дмитриевич Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Чернівецьке відділення вул. Iрини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001, Україна
  • Захар Русланович Кудринский Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Чернівецьке відділення вул. Iрини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001, Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.9286

Ключові слова:

шаруваті напівпровідники, гетеропереходи, відпал кристалів, спектри ЯКР, структурні дефекти, фотоелектричні властивості.

Анотація

Досліджено вплив низькотемпературного відпалу вихідних монокристалів InSe на фотоелектричні властивості гетеропереходів n-InSe-p-InSe. Знайдено, що максимальне поліпшення фотоелектричних параметрів гетеропереходів n-InSe-p-InSe спостерігається при температурах відпалу 150 – 200оС. Підвищення якості монокристалічних зразків після відпалу підтверджується мультиплетністью спектрів ЯКР, які відображають упорядкування в системі політіпії шаруватої структури InSe.

Біографії авторів

Виктор Александрович Хандожко, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича вул. Коцюбинського, 2, м. Чернівці, Україна, 58012

Аспірант

Кафедра радіотехніки та інформаційної безпеки

Захар Дмитриевич Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Чернівецьке відділення вул. Iрини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001

Доктор фізико-математичних наук, професор

Керівник Чернівецького відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України

Захар Русланович Кудринский, Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України Чернівецьке відділення вул. Iрини Вільде, 5, м. Чернівці, Україна, 58001

Аспірант

Посилання

  1. Катеринчук, В.Н. Получение гетероструктур окисел–p-InSe с улучшенными фотоэлектрическими характеристиками [Текст] / В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк // ФТП. – 2004. – Т. 38, № 4. – С. 417-421.
  2. Катеринчук, В.Н. Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках In2O3 [Текст] / В.Н. Катеринчук, З.Р. Кудринский // ФТП. – 2013. – Т. 47, № 3. – С. 320-323.
  3. Katerinchuk V.N., Kovalyuk M.Z. InSe p-n homojunction diodes. Phys. stat. sol. (a), 1992, Vol.133, № 1, pp. K45-K48.
  4. Ковалюк, З.Д. Характеристики гетеропереходов окисел–p-InSe в условиях рентгеновского облучения [Текст] / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, Н.Д. Раранский // ФТП. – 2006. – Т. 40, № 8. – С. 940-943.
  5. Бакуменко, В.Л. Электрические свойства оптических контактов слоистых полупроводников [Текст] / В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко // ФТП. – 1977. – Т. 11, № 10. – С. 2000-2002.
  6. Бакуменко, В.Л. Исследование гетеропереходов InSe-GaSe, приготовленных посадкой на оптический контакт. II. Характеристики переходов с освещенным слоем [Текст] / В.Л. Бакуменко, З.Д. Ковалюк, Л.Н. Курбатов, В.Г. Тагаев, В.Ф. Чишко // ФТП. – 1980. – Т. 14, № 8. – С. 1573-1577.
  7. Ковалюк, З.Д. Влияние гамма-облучения на свойства InSe-фотодиодов [Текст] / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор, В.В. Хомяк // Письма в ЖТФ. – 2005. – Т.31, №9. – С. 1-5.
  8. Ковалюк, З.Д. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур n-p-InSe [Текст] / З.Д. Ковалюк, О.А. Политанская, П.Г. Литовченко, В.Ф. Ластовецкий, О.П. Литовченко, В.К. Дубовой, Л.А. Поливцев // Письма в ЖТФ. – 2007. – Т.33, №18. – С. 14-22.
  9. Blasi C., Manno D., Mongelli S. The stacking of polytypes in InSe crystals. Phys. stat. sol. (a), 1985, Vol.90, No.1, pp. K5-K6.
  10. Bastow T.J., Cambell I.D., Whitfeld H.J. A 69Ga, 115In NQR study of polytypes of GaS, GaSe and InSe. Sol. St. Com., 1981, V. 39, pp. 307-311.
  11. Bastow T.J., Whitfield H.J. Nuclear Quadrupole Resonance of 69Ga and 115In in Chalcogenides MX and M2X3. Journal of Magnetic Resonance, 1975, V.20, pp. 1-10.
  12. Ластивка, Г.И. Влияние отжига на спектры ЯКР и характеристики гетерофотодиодов GaSe-InSe [Текст] / Г.И. Ластивка, О.Н. Сидор, З.Д. Ковалюк, А.Г. Хандожко // Восточно - Европейский Журнал передовых технологий. – 2010. – №4/5(46). – С. 28-34.
  13. Abay B., Guder H.S., Efeoglu H., Yogurtcu Y.K. Excitonic absorption and Urbach-Martienssen's tails in Er-doped and undoped n-type InSe. J. Phys. D: Appl. Phys, 1999, Vol.32, No. 22, pp. 2942-2948.

##submission.downloads##

Опубліковано

2013-02-05

Як цитувати

Хандожко, В. А., Ковалюк, З. Д., & Кудринский, З. Р. (2013). Фотоелектричні властивості гетеропереходів на основі InSe та ядерний квадрупольний резонанс у вихідних матеріалах. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1(5(61), 33–38. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.9286

Номер

Том 1 № 5(61) (2013): Прикладна фізика та матеріалознавство

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Виктор Александрович Хандожко, Захар Дмитриевич Ковалюк, Захар Русланович Кудринский

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.