Розподіл домішок у процесі росту монокристалів кремнію для сонячних елементів
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2013.9306Ключові слова:
кремній, монокристал, ефективний коефіцієнт розподілу домішки.Анотація
Наведено експериментальні дані про величину ефективних коефіцієнтів розподілу домішок бору, кисню та вуглецю на різних стадіях процесу вирощування монокристала кремнію за методом Чохральського. Показано, що зміна величини ефективних коефіцієнтів розподілу цих домішок по ходу спрямованої кристалізації є наслідком зміни співвідношення їхньої концентрації в розплаві та монокристалі, яке впливає на процеси комплексоутворення.Посилання
- Проспект фирмы МЕМС, 1994-1995. – 12 с.
- Wijaranacula W. Numerical modeling of the point defect aggregation during the Czochralski silicon crystal growth / W. Wijaranacula // Journal of electrochemical society. – 1992. - Vol. 139, № 2. - P. 604-616.
- Е.Я. Швец. Моделирование распределения примеси бора в процессе выращивания монокристаллов кремния / Швец Е.Я., Головко О.П., Баев В.С., Головко Ю.В. / Металургія. Збірник наукових праць ЗДІА. - Запоріжжя: ЗДІА, 2007. – Вип. 16. – С. 59 – 63.
- Швец Е.Я., Головко Ю.В. Исследование массообмена кислорода в процессе выращивания монокристаллов кремния по методу Чохральского // Теория и практика металлургии, 2008. - № 4-5 (65). – С.3-7.
- Швец Е.Я., Головко Ю.В. Исследование распределения углерода между расплавом, твёрдой и газовой фазами в процессе выращивания монокристаллов кремния / Металургія. Збірник наукових праць ЗДІА. - Запоріжжя: ЗДІА, 2008. – Вип. 17. – С. 104-108.
- F 723. Standard Practice for Conversion Between Resistivity and Dopant Density for Boron-Doped, Phosphorus-Doped, and Arsenic-Doped Silicon // Annual Book of ASTM Standards.Vol.10.05 (1997).
- ASTM F1188. Test method for interstitial atomic oxygen content of silicon by infrared absorption // Annual Book of ASTM Standards.Vol.10.05 (1997).
- ASTM F1391. Standard test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption // Annual Book of ASTM Standards.Vol.10.05 (1997).
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2014 Юрий Викторович Головко
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.
