STATISTICS OF ELECTRONS AND HOLES IN SELENIOUS LEAD WITH IMPURITY ATOMS

Authors

  • Ярослав Степанович Буджак Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка», Ukraine
  • Ольга Василівна Зуб Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка», Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2979

Keywords:

neutral equation, concentration of charge carriers

Abstract

The present paper deals the influence of effect shielding of impurity atoms charge carriers on the form of neutral equation of impurity atoms in PbSe. Shown that the crystals were investigated impurity centers with deep energy levels and found their nature of such centers.

Author Biographies

Ярослав Степанович Буджак, Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка»

Доктор фізико-математичних наук, професор

Ольга Василівна Зуб, Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка»

Аспірантка

References

  1. Я.С. Буджак, М.П. Заячковский. К вопросу о механизме рассеяния носителей тока в PbSe.// УФЖ т.13,№11, 1968.с.1798-1804.
  2. Я.С.Буджак. Екранування домішкових атомів носіями струму та його вплив на властивості кристалів // Фізика і хімія твердого тіла. Т.5.№1.2004.С.77-81.
  3. Я.С.Буджак. Екранування в легованих кристалах // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”.-«Електроніка». - 2004.- №513. С.112-117.
  4. Я.С.Буджак, І.Є. Лопатинський. MathCAD в теорії термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів. Львів. Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”.2002. с.187.

Downloads

Published

2010-07-30

How to Cite

Буджак, Я. С., & Зуб, О. В. (2010). STATISTICS OF ELECTRONS AND HOLES IN SELENIOUS LEAD WITH IMPURITY ATOMS. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(46), 35–37. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2979

Issue

Vol. 4 No. 5(46) (2010): Technology of organic and inorganic substances and ecology. The applied physics and materials technology

Section

Applied physics

License

Copyright (c) 2014 Ярослав Степанович Буджак, Ольга Василівна Зуб

Creative Commons License

This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.

The consolidation and conditions for the transfer of copyright (identification of authorship) is carried out in the License Agreement. In particular, the authors reserve the right to the authorship of their manuscript and transfer the first publication of this work to the journal under the terms of the Creative Commons CC BY license. At the same time, they have the right to conclude on their own additional agreements concerning the non-exclusive distribution of the work in the form in which it was published by this journal, but provided that the link to the first publication of the article in this journal is preserved.

A license agreement is a document in which the author warrants that he/she owns all copyright for the work (manuscript, article, etc.).
The authors, signing the License Agreement with TECHNOLOGY CENTER PC, have all rights to the further use of their work, provided that they link to our edition in which the work was published.
According to the terms of the License Agreement, the Publisher TECHNOLOGY CENTER PC does not take away your copyrights and receives permission from the authors to use and dissemination of the publication through the world's scientific resources (own electronic resources, scientometric databases, repositories, libraries, etc.).
In the absence of a signed License Agreement or in the absence of this agreement of identifiers allowing to identify the identity of the author, the editors have no right to work with the manuscript.
It is important to remember that there is another type of agreement between authors and publishers – when copyright is transferred from the authors to the publisher. In this case, the authors lose ownership of their work and may not use it in any way.