СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ І ДІРОК В СЕЛЕНИСТОМУ СВИНЦІ З ДОМІШКОВИМИ АТОМАМИ

Автор(и)

  • Ярослав Степанович Буджак Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка», Україна
  • Ольга Василівна Зуб Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка», Україна

DOI:

https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2979

Ключові слова:

рівняння нейтральності, концентрація носіїв струму

Анотація

В роботі показано вплив ефекту екранування домішковими атомами носіїв струму на форму рівняння нейтральності домішкових атомів PbSe. В досліджуваних кристалах були виявлені домішкові центри з глибокими енергетичними рівнями та обґрунтована природа таких локальних центрів.

Біографії авторів

Ярослав Степанович Буджак, Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка»

Доктор фізико-математичних наук, професор

Ольга Василівна Зуб, Кафедра напівпровідникової електроніки Національний університет «Львівська політехніка»

Аспірантка

Посилання

  1. Я.С. Буджак, М.П. Заячковский. К вопросу о механизме рассеяния носителей тока в PbSe.// УФЖ т.13,№11, 1968.с.1798-1804.
  2. Я.С.Буджак. Екранування домішкових атомів носіями струму та його вплив на властивості кристалів // Фізика і хімія твердого тіла. Т.5.№1.2004.С.77-81.
  3. Я.С.Буджак. Екранування в легованих кристалах // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”.-«Електроніка». - 2004.- №513. С.112-117.
  4. Я.С.Буджак, І.Є. Лопатинський. MathCAD в теорії термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів. Львів. Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”.2002. с.187.

##submission.downloads##

Опубліковано

2010-07-30

Як цитувати

Буджак, Я. С., & Зуб, О. В. (2010). СТАТИСТИКА ЕЛЕКТРОНІВ І ДІРОК В СЕЛЕНИСТОМУ СВИНЦІ З ДОМІШКОВИМИ АТОМАМИ. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 4(5(46), 35–37. https://doi.org/10.15587/1729-4061.2010.2979

Номер

Том 4 № 5(46) (2010): Технології органічних і неорганічних речовин та екологія. Прикладна фізика та матеріалознавство

Розділ

Прикладна фізика

Ліцензія

Авторське право (c) 2014 Ярослав Степанович Буджак, Ольга Василівна Зуб

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.

Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.