Хімічне осадження плівок CdS З аміачно-тіокарбамідних розчинів
DOI:
https://doi.org/10.15587/1729-4061.2018.128093Ключові слова:
фотоелектричні перетворювачі, сульфід кадмію, хімічне осадження, мутність, аміачно-тіокарбамідні розчиниАнотація
Досліджений вплив концентрації реагентів на зміну мутності в процесі хімічного осадження плівок сульфіду кадмію з аміачно-тіокарбамідних розчинів. За результатами досліджень зміни мутності розчинів в процесі осадження та морфології одержаного осаду визначені концентрації CdCl2, NH4OH і CS(NH2)2 при яких утворюється суцільна плівка CdS. Проведена робота дозволила встановити умови формування суцільних плівок CdS, що є передумовою для розробки контрольованого процесу виготовлення фотоелектричних перетворювачів
Посилання
- Gibson, P. N., Özsan, M. E., Lincot, D., Cowache, P., Summa, D. (2000). Modelling of the structure of CdS thin films. Thin Solid Films, 361-362, 34–40. doi: 10.1016/s0040-6090(99)00833-0
- Senthil, K., Mangalaraj, D., Narayandass, S. K. (2001). Structural and optical properties of CdS thin films. Applied Surface Science, 169-170, 476–479. doi: 10.1016/s0169-4332(00)00732-7
- Jadhav, U. M., Patel, S. N., Patil, R. S. (2013). Room temperature deposition of nanocrystalline CdS thin film by successive ionic layer adsorption and reaction method. Research Journal of Material Sciences, 1 (1), 21–25.
- Pathan, H. M., Sankapal, B. R., Lokhande, C. D. (2001). Preparation of CdIn2S4 thin films by chemical method. Ind. J. Eng. Mat. Sci., 8, 271–274.
- Gopinathan, С., Sarveswaran, T., Mahalakshmi, K. (2011). Studies on CdS nanocrystalline thin films with different S/Cd ratios prepared using chemical bath deposition method. Advanced Studies in Theoretical Physics, 5 (4), 171–183.
- Khallaf, H., Oladeji, I. O., Chai, G., Chow, L. (2008). Characterization of CdS thin films grown by chemical bath deposition using four different cadmium sources. Thin Solid Films, 516 (21), 7306–7312. doi: 10.1016/j.tsf.2008.01.004
- Memon, A. A., Dilshad, M., Revaprasadu, N., Malik, M. A., Raftery, J., Akhtar, J. (2015). Deposition of cadmium sulfide and zinc sulfide thin films by aerosol-assisted chemical vapors from molecular precursors. Turkish Journal of Chemistry, 39, 169–178. doi: 10.3906/kim-1407-37
- Akif Shikhan Aliyev, M., El-rouby, M. (2013). Electrochemical Studies on the Cathodic Electrodeposition of n-type semiconductor CdS thin film from Thiosulfate Acidic Aqueous Solution. International Journal of Thin Films Science and Technology, 2 (3), 195–205. doi: 10.12785/ijtfst/020305
- Kumar, V., Sharma, D. K., Bansal, M. K., Dwivedi, D. K., Sharma, T. P. (2011). Synthesis and characterization of screen-printed CdS films. Science of Sintering, 43 (3), 335–341. doi: 10.2298/sos1103335k
- Prema, A. A., Xavier, R. J., Sahayaraj, P., Pragathiswaran, C., Dharmalingam, V. (2016). Characterization of cadmium sulfide thin film grown by chemical bath deposition technique with SEM, XRD, EDAX and AFM analysis. Der Pharma Chemica, 8 (4), 96–100.
- Maske, D. (2016). Characterization of CdS thin films by chemical bath deposition. International Journal of Scientific and Research Publications, 6 (6), 264–266.
- Sincheskul, A., Pancheva, H., Loboichenko, V., Avina, S., Khrystych, O., Pilipenko, A. (2017). Design of the modified oxide-nickel electrode with improved electrical characteristics. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 5 (6 (89)), 23–28. doi: 10.15587/1729-4061.2017.112264
- Smirnova, O., Pilipenko, A., Pancheva, H., Zhelavskyi, A., Rutkovska, K. (2018). Study of anode processes during development of the new complex thiocarbamidecitrate copper plating electrolyte. Eastern-European Journal of Enterprise Technologies, 1 (6 (91)), 47–51. doi: 10.15587/1729-4061.2018.123852
- Ortega-Borges, R. (1993). Mechanism of Chemical Bath Deposition of Cadmium Sulfide Thin Films in the Ammonia-Thiourea System. Journal of The Electrochemical Society, 140 (12), 3464. doi: 10.1149/1.2221111
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2018 Hanna Pancheva, Olena Khrystych, Evgeniia Mykhailova, Maryna Ivashchenko, Alexei Pilipenko
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Закріплення та умови передачі авторських прав (ідентифікація авторства) здійснюється у Ліцензійному договорі. Зокрема, автори залишають за собою право на авторство свого рукопису та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons CC BY. При цьому вони мають право укладати самостійно додаткові угоди, що стосуються неексклюзивного поширення роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом, але за умови збереження посилання на першу публікацію статті в цьому журналі.
Ліцензійний договір – це документ, в якому автор гарантує, що володіє усіма авторськими правами на твір (рукопис, статтю, тощо).
Автори, підписуючи Ліцензійний договір з ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР», мають усі права на подальше використання свого твору за умови посилання на наше видання, в якому твір опублікований. Відповідно до умов Ліцензійного договору, Видавець ПП «ТЕХНОЛОГІЧНИЙ ЦЕНТР» не забирає ваші авторські права та отримує від авторів дозвіл на використання та розповсюдження публікації через світові наукові ресурси (власні електронні ресурси, наукометричні бази даних, репозитарії, бібліотеки тощо).
За відсутності підписаного Ліцензійного договору або за відсутністю вказаних в цьому договорі ідентифікаторів, що дають змогу ідентифікувати особу автора, редакція не має права працювати з рукописом.
Важливо пам’ятати, що існує і інший тип угоди між авторами та видавцями – коли авторські права передаються від авторів до видавця. В такому разі автори втрачають права власності на свій твір та не можуть його використовувати в будь-який спосіб.